[发明专利]半导体光电元件的制作方法有效
申请号: | 201810510295.5 | 申请日: | 2012-11-12 |
公开(公告)号: | CN108447855B | 公开(公告)日: | 2020-11-24 |
发明(设计)人: | 林俊宇;倪庆怀;陈怡名 | 申请(专利权)人: | 晶元光电股份有限公司 |
主分类号: | H01L25/075 | 分类号: | H01L25/075;H01L33/00;H01L33/22;H01L33/38;H01L33/46;H01L33/62 |
代理公司: | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人: | 陈小雯 |
地址: | 中国台*** | 国省代码: | 台湾;71 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 半导体 光电 元件 制作方法 | ||
1.一种半导体发光元件,其特征在于,包含:
承载基板;以及
多个半导体发光单元于该承载基板上,该多个半导体发光单元中的每一个包含:
第一表面;
第二表面,相对于该第一表面;
侧壁,位于该第一表面及该第二表面之间;
第一型半导体层;
第二型半导体层;
活性层,位于该第一型半导体层及该第二型半导体层之间;以及
第一电极,具有上表面、底面相对于该上表面、及侧表面位于该上表面及底面之间,该上表面直接接触该第一表面,该底面接触该承载基板,该侧表面突出于该侧壁;
绝缘层,覆盖该侧壁但不覆盖该第一表面;以及
透明粘着层,位于该第一表面及该承载基板之间,接触该承载基板且不覆盖该第一电极的底面,
其中,该第二表面为粗化表面,且该透明粘着层不高于该第二表面。
2.如权利要求1所述的半导体发光元件,其中该第一表面为粗化表面。
3.如权利要求1所述的半导体发光元件,还包含第二电极,直接接触该第二表面。
4.如权利要求1所述的半导体发光元件,其中该透明粘着层接触该第一表面及该第一电极的该侧表面。
5.如权利要求1所述的半导体发光元件,其中,该第一电极包含金、银、铜、铬、铝、铂、镍、钛或锡。
6.如权利要求1所述的半导体发光元件,其中,该透明粘着层粘着接合该多个半导体发光单元与该承载基板。
7.如权利要求1所述的半导体发光元件,其中,该透明粘着层包含聚酰亚胺、苯环丁烯类高分子、全氟环丁基类高分子、环氧类树脂、压克力类树脂、聚脂类树脂、聚碳酸酯类树脂或其组合。
8.如权利要求1所述的半导体发光元件,还包含导电连结结构,连接该多个半导体发光单元。
9.如权利要求8所述的半导体发光元件,其中,该绝缘层位于该导电连结结构及该侧壁之间。
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