[发明专利]应用于DC-DC变换器的高压使能电路

权利要求书

1.一种应用于DC-DC变换器的高压使能电路，其特征在于，包括：

内部电源产生单元，所述内部电源产生单元具有第一高压电源输入端、第一低压电源输出端和第二低压电源输出端；

电压检测单元，所述电压检测单元具有第一检测输入端、第二检测输入端和第一检测输出端；所述第一检测输入端连接使能引脚，所述第二检测输入端连接所述第一低压电源输出端；

比较判断单元，所述比较判断单元具有第一比较输入端、第二比较输入端和第一比较输出端；所述第一比较输入端连接所述第一检测输出端；所述第二比较输入端连接所述第二低压电源输出端，所述第一比较输出端连接模拟模块。

2.如权利要求1所述的高压使能电路，其特征在于，所述电压检测单元包括检测电阻、检测NMOS管和检测电容；所述检测电阻的一端连接所述第一检测输入端，所述检测电阻的另一端连接所述检测NMOS管的漏极，所述检测NMOS管的栅极连接所述第二检测输入端，所述检测NMOS管的源极连接所述第一检测输出端；所述检测电容一端连接在所述检测NMOS管的源极和所述第一检测输出端之间，另一端接地。

3.如权利要求2所述的高压使能电路，其特征在于，所述检测NMOS管的漏源电压承受范围为0V～24V。

4.如权利要求1所述的高压使能电路，其特征在于，所述内部电源产生单元包括第一电阻，第一NMOS管至第十NMOS管，第一PMOS管至第八PMOS管；

所述第一电阻的一端连接所述第一高压电源输入端，另一端连接所述第一NMOS管的漏极、所述第一NMOS管的栅极、所述第二NMOS管的栅极和所述第三NMOS管的栅极；

所述第一PMOS管的源极、所述第二PMOS管的源极、所述第三PMOS管的源极和所述第四NMOS管的漏极连接所述第一高压电源输入端；

所述第一NMOS管的源极连接所述第六NMOS管的漏极、所述第六NMOS管的栅极、所述第七NMOS管的栅极、所述第八NMOS管的栅极、所述第九NMOS管的栅极和所述第十NMOS管的栅极；

所述第二NMOS管的源极连接所述第七NMOS管的漏极；所述第二NMOS管的漏极连接所述第四PMOS管的漏极、所述第四PMOS管的栅极和所述第五PMOS管的栅极；

所述第三NMOS管的源极连接所述第八NMOS管的漏极；所述第三NMOS管的漏极连接所述第二PMOS管的漏极、所述第二PMOS管的栅极和所述第三PMOS管的栅极；所述第三PMOS管的漏极连接所述第五PMOS管的源极；

所述第四NMOS管的源极连接所述第九NMOS管的漏极；

所述第一PMOS管的栅极连接自身的漏极和所述第四PMOS管的源极；

所述第五PMOS管的漏极连接所述第四NMOS管的栅极与所述第六PMOS管的源极；

所述第六PMOS管的栅极连接自身的漏极与所述第七PMOS管的源极；

所述第七PMOS管的栅极连接自身的漏极与所述第八PMOS管的源极；

所述第八PMOS管的栅极连接自身的漏极与所述第五PMOS管的栅极和漏极；

所述第五NMOS管的源极、所述第六NMOS管的源极、所述第七NMOS管的源极、所述第八NMOS管的源极、所述第九NMOS管的源极和所述第十NMOS管的源极接地。

5.如权利要求4所述的高压使能电路，其特征在于，所述第四PMOS管和所述第五PMOS管的漏源电压承受范围为0V～24V；所述第二NMOS管、所述第三NMOS管和所述第四NMOS管的漏源电压承受范围为0V～24V。