[发明专利]EUV光刻用防护膜及其制造方法

权利要求书

1.一种极紫外(EUV)光刻用防护膜，该防护膜包括：

支撑层图案，其通过蚀刻支撑层而形成；

防护膜层，其形成在所述支撑层图案上；和

蚀刻停止层图案，其形成在所述支撑层图案与所述防护膜层之间，并且在蚀刻所述支撑层时通过对停止蚀刻的蚀刻停止层进行蚀刻而形成；

其中所述防护膜层包括芯层和一个或多个增强层，所述增强层形成在所述芯层的两个表面中的至少一个表面上，并且所述增强层的材料与所述芯层的材料不同；

其中所述增强层包括具有纳米尺寸孔的外部多孔表面；

其中所述多孔表面的粗糙度为1nm至10nm。

2.根据权利要求1所述的防护膜，其中所述芯层包含：

除了单晶硅层、非晶硅层或多晶硅层之外，还包含硼(B)、磷(P)、砷(As)、钇(Y)、锆(Zr)、铌(Nb)和钼(Mo)中的一种或多种材料；或

硅化钼(MoSi)、硅化钨(WSi)、硅化锆(ZrSi)和硅化钽(TaSi)中的一种或多种金属硅化物材料。

3.根据权利要求1所述的防护膜，其中所述芯层的厚度为100nm以下。

4.根据权利要求1所述的防护膜，其中所述增强层包含：

除了硅(Si)之外还含有碳(C)、氮(N)、氧(O)中的一种或多种的硅化合物；或者

碳化硅(SiC)、碳化硼(B₄C)、钌(Ru)、钼(Mo)、石墨烯和碳纳米管(CNT)中的一种或多种材料。

5.根据权利要求1所述的防护膜，其中所述增强层的材料与所述芯层和所述蚀刻停止层图案的材料不同，并且所述增强层的厚度为2nm至10nm。

6.根据权利要求1所述的防护膜，其中所述增强层的拉伸应力为50MPa至150MPa。

7.根据权利要求1所述的防护膜，其中所述蚀刻停止层图案包含硅化合物，该硅化合物除了包含硅(Si)之外，还包含碳(C)、氮(N)、氧(O)中的一种或多种。

8.根据权利要求7所述的防护膜，其中所述蚀刻停止层图案的厚度为10nm至500nm。

9.根据权利要求1所述的防护膜，其中所述蚀刻停止层图案包含压缩应力为300Mpa以下的氧化硅。

10.根据权利要求1所述的防护膜，还包括额外地形成在至少一个增强层的外表面上的辅助增强层。

11.根据权利要求10所述的防护膜，其中所述辅助增强层包含：

除了硅(Si)之外还含有碳(C)、氮(N)、氧(O)中的一种或多种的硅化合物；或

碳化硅(SiC)、碳化硼(B₄C)、钌(Ru)、钼(Mo)、石墨烯和碳纳米管(CNT)中的一种或多种材料。

12.根据权利要求10所述的防护膜，其中所述辅助增强层的材料与所述芯层和所述增强层的材料不同，并且所述辅助增强层的厚度为2nm至10nm。

13.根据权利要求1所述的防护膜，其中当所述蚀刻停止层包含氧(O)时，使用四甲基氢氧化铵(TMAH)来蚀刻所述支撑层以形成所述支撑层图案。

14.根据权利要求13所述的防护膜，还包括形成在所述增强层的外表面上的蚀刻掩模层，并且该蚀刻掩模层包含硅化合物，该硅化合物除了硅(Si)之外还含有氧(O)。

15.根据权利要求14所述的防护膜，其中所述蚀刻掩模中的所述硅化合物包含碳(c)和氮(N)中的至少一者，或铬、金和铝中的一种或多种金属材料。