[发明专利]存储介质及其制造工艺在审
| 申请号： | 201810512766.6 | 申请日： | 2018-05-24 |
| 公开（公告）号： | CN108806728A | 公开（公告）日： | 2018-11-13 |
| 发明（设计）人： | 孙英达 | 申请（专利权）人： | 联想（北京）有限公司 |
| 主分类号： | G11B5/82 | 分类号： | G11B5/82;G11B5/70;G11B5/84 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 吕雁葭 |
| 地址： | 100085 北京市*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 存储介质 磁介质 极性状态 制造工艺 对盘 盘片 磁头 读操作 写操作 预设 | ||
1.一种存储介质，包括：
盘片，其中，所述盘片上包含有按照预设规律离散排列的多个磁介质区；以及
磁头，用于通过感应所述多个磁介质区的极性状态对所述盘片执行读操作，和/或用于通过改变所述多个磁介质区的极性状态对所述盘片执行写操作。
2.根据权利要求1所述的存储介质，其中：
所述多个磁介质区按照所述预设规律在所述盘片上形成一个或多个磁道，其中，每个磁道上离散排列有多个磁介质区。
3.根据权利要求2所述的存储介质，其中：
每个磁道上任意两个相邻的磁介质区之间相距预设距离。
4.根据权利要求3所述的存储介质，其中，所述任意两个相邻的磁介质区之间通过非磁性介质隔离。
5.根据权利要求4所述的存储介质，其中，所述非磁性介质包括合成纤维。
6.根据权利要求1所述的存储介质，其中，所述多个磁介质区中的每个磁介质区包含一粒径在10纳米以下的磁颗粒。
7.根据权利要求1所述的存储介质，其中，所述多个磁介质区中的每个磁介质区包含的磁颗粒的粒径是根据所述磁头的磁化能力与所述磁颗粒的矫顽力的匹配情况确定的。
8.一种存储介质的制造工艺，其中，所述存储介质包括盘片和磁头，所述制造工艺包括：
在所述盘片上按照预设规律离散排列多个磁介质区，以使得所述磁头通过感应所述多个磁介质区的极性状态对所述盘片执行读操作，和/或通过改变所述多个磁介质区的极性状态对所述盘片执行写操作。
9.根据权利要求8所述的制造工艺，其中：
任意两个相邻的磁介质区之间相距预设距离。
10.根据权利要求9所述的制造工艺，其中，所述制造工艺还包括：
所述任意两个相邻的磁介质区之间通过非磁性介质隔离。
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