[发明专利]光电阴极及其制备方法有效
| 申请号： | 201810512769.X | 申请日： | 2018-05-24 |
| 公开（公告）号： | CN108470664B | 公开（公告）日： | 2020-01-07 |
| 发明（设计）人： | 刘燕文;田宏;李芬;石文奇;朱虹;谷兵 | 申请（专利权）人： | 中国科学院电子学研究所 |
| 主分类号： | H01J1/34 | 分类号： | H01J1/34;H01J9/12 |
| 代理公司： | 11021 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人： | 喻颖 |
| 地址： | 100190 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 光电阴极 金属纳米粒子 薄膜 加热体 沉积 制备 加热 碱金属化合物 锑膜 碱金属 强光 加热碱金属 碱金属蒸汽 表面形成 基体表面 量子效率 还原剂 锑蒸发 除气 锑源 蒸发 缓解 | ||
1.一种光电阴极，包括：
光电阴极基体(1)；
金属纳米粒子薄膜(2)，沉积在所述光电阴极基体(1)上；以及
锑碱金属化合物(3)，制备在金属纳米粒子薄膜(2)上；
所述金属纳米粒子薄膜(2)的材料包括：镍、钨、锇或其合金；
所述锑碱金属化合物包括：锑化铯、锑化钠、锑化钾或锑化钠钾、锑化钠铯、锑化钠钾铯。
2.根据权利要求1所述的光电阴极，所述金属纳米粒子薄膜(2)的厚度为200nm～500nm。
3.根据权利要求1所述的光电阴极，所述金属纳米粒子薄膜(2)的金属纳米粒子的直径约为10nm～100nm。
4.根据权利要求1所述的光电阴极，其中，所述阴极基体(1)的制备材料包括：镍、钨或无氧铜。
5.一种光电阴极制备方法，包括：
步骤1：在光电阴极基体(1)表面沉积一层金属纳米粒子薄膜(2)；
所述金属纳米粒子薄膜(2)的材料包括：镍、钨、锇或其合金；
步骤2：利用加热体(6)对沉积有金属纳米粒子薄膜(2)的光电阴极基体(1)加热，使其在800℃以上温度充分除气；
步骤3：通过加热体(6)加热使锑源(4)中锑蒸发到步骤1所制成的所述金属纳米粒子薄膜(2)的表面形成锑膜；以及
步骤4：通过加热体(6)加热碱金属源(5)与还原剂，同时通过加热体(6)加热光电阴极基体(1)，使生成的碱金属蒸汽射向光电阴极基体(1)上与步骤3所生成的锑膜反应，制成光电阴极；
所述碱金属源(5)的制备材料包括：铯、钠或钾。
6.根据权利要求5 所述的光电阴极制备方法，其中，步骤3中所生成的锑膜厚200nm～500nm。
7.根据权利要求6所述的光电阴极制备方法，其中，所述步骤4中碱金属蒸汽与锑膜反应的温度为120～180℃。
8.根据权利要求6所述的光电阴极制备方法，其中，所述加热体(6)的制备材料包括：钨、钼或钨铼。
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