[发明专利]研磨方法及研磨装置

说明书

本发明提供一种能够在不受每片支承板各自的形状差的影响而控制晶圆的平坦度的研磨方法及研磨装置。该研磨方法以支承板而支承被研磨物，将支承被研磨物的支承板予以装备至研磨头，研磨头配置于研磨装置，通过研磨头将被支承板所支承的被研磨物以指定的压力而推压至贴附于研磨台的研磨布，并使相对运动而借以研磨被研磨物的表面，其中在以支承板而支承该被研磨物之前，先测量支承板的支承被研磨物的支承面的形状，依测量完成的支承面的形状，调整由研磨头对于支承板的推压分布，再研磨被研磨物。

技术领域

本发明涉及一种研磨方法及一种研磨装置。

背景技术

硅晶圆或化合物半导体晶圆等半导体晶圆，随着集成电路的微小化，不但平坦度规格逐渐紧缩，要求水平亦日益提升，以期获得更平整的形状。以将半导体晶圆研磨至平坦的手法而言，有通过黏着或模板法将半导体晶圆贴附而支承于支承板(研磨板)而研磨的方法。

如专利文献1所记载，此方法中使用一研磨装置，将贴附半导体晶圆的支承板安装至研磨头的下表面，往安装于研磨头的下表面的可挠式薄膜(或弹性膜)之间的密闭空间(气囊)供给压力流体，通过调整此压力让支承板全面均等地下压。此研磨装置的研磨头为在密闭空间未受压的场合，对研磨头的外周部施加全研磨压的结构。

参照图12至图14而对此研磨方法进行更具体的说明。如图12，为了研磨晶圆W的表面，首先将1片以上的晶圆W贴附至圆盘状的支承板108。接着如图13，将贴附晶圆W的支承板108装备至研磨头102。研磨头102与使研磨头102绕轴旋转的研磨轴杆103一同构成研磨轴104。使固定于支承板108的晶圆W接触贴于研磨台105上的研磨布106而被研磨。

在此时通过承载于支承板108上的研磨头102对该支承板108加压，并通过研磨台105的旋转运动以及研磨头102的旋转，让各晶圆W的与研磨布106的接触面分别被研磨。

使用如图13之往研磨头102与安装于下表面的可挠式薄膜107(或弹性膜)之间的密闭空间(气囊)供给压力流体并通过调整此压力让支承板108的全面均等地下压的装置的场合，此研磨头102为于密闭空间未受压时，对研磨头102的外周部施加全研磨压的结构。

实际研磨时，对密闭空间设定适当的加压，平均地研磨各晶圆W。众所周知的是，此密闭空间的压力一旦变动，往支承板108的推压分布跟着改变，而固定于支承板108的各晶圆W的研磨形状亦为之改变。具体而言，如图14所示，一旦密闭空间的压力小，推压分布则相对地转移至支承板108的外周部侧，一旦密闭空间的压力大，推压分布则转移至支承板108的中心部。按此推压分布，研磨后的晶圆形状会产生变化。

[现有技术文献]

[专利文献]

[专利文献1]日本特公平7-41534号公报

发明内容

[发明所欲解决的问题]

然而，即便依据可挠式薄膜所形成的密闭空间(气囊)而使用适当地调整推压分布的研磨头进行研磨，仍有每片晶圆都发生平坦度(GBIR)参差的问题。其肇因于每片支承板各自的形状并非完全相同而具有些微的形状差，尽管针对支承板的平均的形状设定了适当的推压分布，却因该些微的形状差而让晶圆的平坦度产生参差。

有鉴于如同前述的问题，本发明的目的是提供能够在不受每片支承板各自的形状差的影响而控制晶圆的平坦度的研磨方法及研磨装置。

[解决问题的技术手段]