[发明专利]一种光伏组件及其制备方法在审
申请号: | 201810515087.4 | 申请日: | 2018-05-25 |
公开(公告)号: | CN110534603A | 公开(公告)日: | 2019-12-03 |
发明(设计)人: | 温俊荣;李秋霞 | 申请(专利权)人: | 米亚索能光伏科技有限公司 |
主分类号: | H01L31/048 | 分类号: | H01L31/048;B32B37/12;B32B37/10;B32B37/06;B32B7/12 |
代理公司: | 11489 北京中政联科专利代理事务所(普通合伙) | 代理人: | 陈超<国际申请>=<国际公布>=<进入国 |
地址: | 100072 北京市丰*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 层压 光伏组件 一次层压 组成部件 敷设 次层 制备 层压过程 光伏发电 生产效率 报废率 移位 子串 芯片 预防 | ||
本发明公开了一种光伏组件的制备方法,涉及光伏发电技术领域,该制备方法包括:对光伏组件的各个组成部件进行敷设;对敷设完成的各个组成部件进行层压;其中,层压过程分为多个阶段,多个阶段的压力值不同。本发明在层压的过程中通过分阶段采用不同的压力值,实现只需一次层压就能达到与现有技术中二次层压相同的层压效果,由于减少了一次层压步骤,相对于现有技术,本发明可以预防芯片移位、可以减少子串报废率、缩短了层压整个工艺时间、提高了生产效率、制成的光伏组件相对于采用二次层压的光伏组件厚度更薄。
技术领域
本发明涉及光伏发电技术领域,尤其涉及一种光伏组件及其制备方法。
背景技术
光伏组件的制备工艺包括层压工艺,将光伏组件的各个分层压合在一起。
现有技术中在层压时,由于位于芯片周围的膜层和位于整个光伏组件的外表位置的膜层(即与保护层粘结的膜层和与衬底层粘结的膜层)在同样的压力条件下进行层压会出现压合不好导致芯片和粘结层之间容易被剥离的现象。因此,通常进行两次层压,即先将芯片附近的膜层进行第一次层压,得到子串,再将子串分别与和保护层粘结的膜层、和衬底层粘结的膜层进行二次层压,从而完成整个层压过程。
发明人在实施本发明的过程中发现,现有技术中的二次层压技术虽然能够解决一次层压的层压效果不好的问题,但是由于增加了一次层压步骤,导致整个层压工艺时间长。
发明内容
(一)发明目的
本发明的目的是提供一种层压效果好、工艺时间短、厚度薄的制备光伏组件的方法。
(二)技术方案
为解决上述问题,本发明的第一方面提供了一种光伏组件的制备方法,包括:对光伏组件的各个组成部件进行敷设;其中,所述各个组成部分包括:保护层、粘接层、芯片层和衬底层;对敷设完成的各个组成部件进行层压;其中,层压过程分为多个阶段,多个阶段的抽真空的压力值不同。
进一步,所述的光伏组件的制备方法,其中,所述多个阶段之间无间断。
进一步,所述的光伏组件的制备方法,其中,所述多个阶段中,压力值从第一个阶段到最后一个阶段递增。
进一步,所述的光伏组件的制备方法,其中,层压过程分为以下三个阶段:第一个阶段中,所述抽真空的压力值为:-60KPa—-80KPa;第二个阶段中,所述抽真空的压力值为:-30KPa—-50KPa;第三个阶段中,所述抽真空的压力值为:0Pa—--20KPa。
进一步,所述的光伏组件的制备方法,其中,所述第一个阶段的持续时间为:1-120秒;所述第二个阶段的持续时间为:1-120秒;所述第三个阶段的持续时间为:10-60分钟。
进一步,所述的光伏组件的制备方法,其中,所述第一个阶段的持续时间为:30-60秒;所述第二个阶段的持续时间为:30-60秒;所述第三个阶段的持续时间为:25-35分钟。
进一步,所述的光伏组件的制备方法,其中,所述多个阶段中,所述每个阶段的抽真空次数为6-10次。
进一步,所述的光伏组件的制备方法,其中,所述多个阶段中,每个阶段的抽真空次数相同。
进一步,所述的光伏组件的制备方法,其中,层压过程中包括加热;所述每个阶段的加热温度为120-180摄氏度。
进一步,所述的光伏组件的制备方法,其中,所述对光伏组件的各个组成部件进行敷设,包括:在衬底层上依次敷设第一粘结层、第一阻水膜、第二粘结层、芯片层、第三粘结层、第二阻水膜、第四粘结层和保护层。
根据本发明的另一个方面,提供了一种光伏组件,采用上述任一项所述的光伏组件的制备方法制得。
(三)有益效果
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的