[发明专利]直拉硅单晶的引晶方法及其制造方法

权利要求书

1.直拉硅单晶的引晶方法，其特征在于，以引晶速度偏差调控引晶温度，所述引晶速度偏差为引晶调温周期内的平均引晶速度减去设定引晶速度所得的差值；

在所述引晶调温周期内，若引晶速度偏差为正，引晶温度正向微调；若引晶速度偏差为负，引晶温度负向微调；

所述引晶温度微调量的计算方法为PID算法、偏差算法及预测算法；所述PID算法的公式为：

所述偏差算法的公式为：，a为偏差系数；

所述预测算法过程为：观察平均引晶速度变化，根据经验预测功率调节量，直到平均引晶速度与设定的引晶速度接近某一范围；单次调节量及观察时间间隔均根据经验判定。

2.根据权利要求1所述的直拉硅单晶的引晶方法，其特征在于，从引晶开始至达到引晶目标直径的过程为一连续缩径过程，在所述连续缩径过程中进行所述引晶温度的调控。

3.根据权利要求2所述的直拉硅单晶的引晶方法，其特征在于，所述连续缩径过程的引晶温度调控包含若干个引晶调温周期，在每一引晶调温周期内，引晶温度的微调量根据功率调节系数和引晶调温周期设定。

4.根据权利要求3所述的直拉硅单晶的引晶方法，其特征在于，所述连续缩径的目标直径范围为5-6mm，功率调节系数设定为0.0001-5.0000，引晶调温周期设定为300s-6000s。

5.根据权利要求1所述的直拉硅单晶的引晶方法，其特征在于，从引晶开始至达到引晶目标直径的过程为一非连续缩径过程，至少依次包括第一缩径过程、等细晶过程和第二缩径过程，在所述等细晶过程中进行所述引晶温度的调控。

6.根据权利要求5所述的直拉硅单晶的引晶方法，其特征在于，所述非连续缩径过程依次包括第一缩径过程、等细晶过程和第二缩径过程，经第二缩径过程达到缩径目标直径，在所述等细晶过程中进行一次所述引晶温度的调控。

7.根据权利要求6所述的直拉硅单晶的引晶方法，其特征在于，在所述等细晶过程中，包含一个引晶调温周期，在引晶调温周期内，引晶温度的微调量根据功率调节系数设定。

8.根据权利要求7所述的直拉硅单晶的引晶方法，其特征在于，所述等细晶过程中的引晶温度调控的功率调节系数设定为0.0001-5.0000，等细晶的长度设定范围为10-50mm。

9.根据权利要求7或8所述的直拉硅单晶的引晶方法，其特征在于，所述第一缩径过程的缩径目标直径范围为6-15mm，第二缩径过程的缩径目标直径范围为5-6mm，第二缩径过程后的引晶长度设定范围为180-250mm。

10.直拉硅单晶的制造方法，其采用如权利要求1-9中任一项所述的直拉硅单晶的引晶方法。