[发明专利]半导体储存器结构及其字线制造方法

权利要求书

1.一种半导体储存器结构的字线制造方法，其特征在于，包括如下步骤：

提供一衬底，所述衬底表面形成有一衬底保护层；

形成多个第一开口在所述衬底保护层中，以形成藉由所述第一开口间隔的多个衬底保护层单元；

形成一硬掩膜层在所述第一开口中及所述衬底保护层表面；

形成一光阻层在所述硬掩膜层表面，并形成多个第二开口在所述光阻层中，以形成藉由所述第二开口间隔的多个光阻单元，其中，多个所述光阻单元依次排布于所述第一开口之上与所述衬底保护层单元之上，所述第一开口的宽度大于其上的所述光阻单元的宽度，且所述第一开口的两端均突出于其上的所述光阻单元的两端之外，所述衬底保护层单元的宽度大于其上的所述光阻单元的宽度，且所述衬底保护层单元的两端均突出于其上的所述光阻单元的两端之外，使得所述第二开口所打开范围内的所述衬底之上具有由所述硬掩膜层组成的第一遮挡部以及由所述衬底保护层与所述硬掩膜层叠加组成的第二遮挡部；

以所述光阻层、所述硬掩膜层及所述衬底保护层共同作为掩膜，刻蚀得到多个字线凹槽在所述衬底中，所述字线凹槽具有与所述第一遮挡部位置相对应的第一字线凹槽部以及与所述第二遮挡部位置相对应的第二字线凹槽部，所述第一字线凹槽部与所述第二子线凹槽部的深度不同；

基于所述字线凹槽形成多条字线于所述衬底中，所述字线包括填充于所述第一字线凹槽部内的第一字线部及填充于所述第二字线凹槽部内的第二字线部。

2.根据权利要求1所述的半导体储存器结构的字线制造方法，其特征在于，形成多个所述第一开口在所述衬底保护层中包括如下步骤：

形成硬掩膜材料层于所述衬底保护层表面；

形成光阻材料层于所述硬掩膜材料层表面；

依据所述第一开口的图形将所述光阻材料层图形化；

以所述硬掩膜材料层及图形化的所述光阻材料层共同作为掩膜，刻蚀得到多个所述第一开口在所述衬底保护层中。

3.根据权利要求1所述的半导体储存器结构的字线制造方法，其特征在于，基于所述字线凹槽形成多条字线于所述衬底中包括如下步骤：

形成栅氧化层在所述字线凹槽表面

形成扩散阻挡层在所述栅氧化层表面；

沉积导电材料在所述扩散阻挡层表面并填充满所述字线凹槽；

进行回刻，使所述导电材料低于所述衬底上表面。

4.根据权利要求1所述的半导体储存器结构的字线制造方法，其特征在于：还包括形成字线保护层在所述字线表面的步骤。

5.根据权利要求1所述的半导体储存器结构的字线制造方法，其特征在于：所述衬底保护层的刻蚀速率小于所述硬掩膜层的刻蚀速率，使得所述第二字线凹槽部的深度小于所述第一字线凹槽部的深度。

6.根据权利要求1所述的半导体储存器结构的字线制造方法，其特征在于：所述衬底保护层的材料选自氧化硅、氮化硅、碳化硅、氮氧化硅、碳氮化硅、碳氮氧化硅以及氮化硼所构成群组的其中一种，所述硬掩膜层的材料选自氧化硅、氮化硅、碳化硅、氮氧化硅、碳氮化硅、碳氮氧化硅以及氮化硼所构成群组的其中一种蚀刻选择比高于所述衬底保护层的材料。

7.根据权利要求1所述的半导体储存器结构的字线制造方法，其特征在于：所述第一遮挡部与所述第二遮挡部的宽度相同。

8.根据权利要求1所述的半导体储存器结构的字线制造方法，其特征在于：所述字线的底端偏离所述字线的中心平面，其中，所述字线的中心平面定义为穿过所述字线长度方向的顶面中心线且垂直于所述字线顶面的平面。

9.根据权利要求8所述的半导体储存器结构的字线制造方法，其特征在于：相邻两条字线的底端偏离方向相反。

10.根据权利要求1所述的半导体储存器结构的字线制造方法，其特征在于：所述第一字线部与所述第二字线部的连接处具有一内凹角。