[发明专利]横向扩散金属氧化物半导体器件的制造方法及半导体器件

权利要求书

1.一种横向扩散金属氧化物半导体器件的制造方法，其特征在于，包括：

在基层中形成第一掺杂类型的漂移区，

在所述基层中形成具有第二掺杂类型的体区，所述漂移区阻碍所述体区向所述漂移区方向的横向扩散，

形成所述体区后，在所述基层的第一表面上形成栅介质层和栅极导体。

2.根据权利要求1所述的制造方法，其特征在于，所述体区与所述漂移区相接触或所述体区的至少部分位于所述漂移区中。

3.根据权利要求2所述的制造方法，其特征在于，所述漂移区由所述横向扩散金属氧化物半导体器件的漏极区域这一侧延伸至所述横向扩散金属氧化物半导体器件的源极区域这一侧，

在位于所述横向扩散金属氧化物半导体器件的源极区域这一侧的漂移区中，注入第二掺杂类型的掺杂剂，以形成位于所述漂移区中的所述体区。

4.根据权利要求1所述的制造方法，其特征在于，还包括在半导体衬底中形成具有第一掺杂类型的阱区，

所述基层包括所述半导体衬底和所述阱区，所述漂移区和体区均形成于所述阱区中。

5.根据权利要求1所述的制造方法，其特征在于，还包括在所述基层的第一表面上形成场氧化层。

6.根据权利要求1所述的制造方法，其特征在于，还包括：在所述基层的第一表面上形成耐压层，所述耐压层与所述栅介质层相邻，且至少部分位于所述漂移区上方。

7.根据权利要求1所述的制造方法，其特征在于，形成所述栅极导体的步骤包括：

在所述基层的表面形成一层导体层，

蚀刻所述导体层，以形成至少部分位于所述栅介质层上栅极导体。

8.根据权利要求6所述的制造方法，其特征在于，形成所述栅极导体的步骤包括：

在所述基层的表面形成一层导体层，

蚀刻所述导体层，以形成至少部分位于所述栅介质层上栅极导体，同时还形成至少部分位于所述耐压层上的场导体，

所述栅极导体和所述场导体空间隔离。

9.根据权利要求1所述的制造方法，其特征在于，在所述体区表面区域内形成第一掺杂类型的轻掺杂漏区，

以及，在所述栅极导体的侧壁形成侧墙。

10.根据权利要求1所述的制造方法，其特征在于，还包括分别在所述漂移区和体区中形成第一掺杂类型的漏极区和源极区，

以及在所述体区中形成第二掺杂类型的体接触区。

11.根据权利要求1所述的制造方法，其特征在于，所述第二掺杂类型为P型，

在所述基层中注入含銦的掺杂剂，以形成所述体区。

12.一种半导体器件，所述半导体器件为横向扩散金属氧化物半导体器件，其特征在于，包括：

基层，

位于所述基层中且具有第一掺杂类型的漂移区，

位于所述基层中且具有第二掺杂类型的体区，所述漂移区与所述体区具有预定的位置关系，使得所述漂移区阻碍所述体区向所述漂移区方向的横向扩散。

13.根据权利要求12所述的半导体器件，还包括：

位于所述基层的第一表面上形成栅介质层和栅极导体，所述栅介质层的的部分覆盖在所述体区的表面，另一部分覆盖在所述基层的表面。

14.根据权利要求13所述的半导体器件，还包括：位于所述体区中且具有第一掺杂类型的源极区，所述源极区与所述栅介质层相邻。

15.根据权利要求13所述的半导体器件，还包括：

位于所述漂移区中且具有第一掺杂类型的漏极区，

以及位于所述基层表面，且位于所述栅介质层和所述漏极区之间的耐压层，所述耐压层的至少部分覆盖在所述漂移区上。