[发明专利]快闪存储器及其形成方法

权利要求书

1.一种快闪存储器，其特征在于，包括：

半导体衬底，所述半导体衬底包括有效存储区和引线区，所述引线区在第一方向与有效存储区邻接，所述有效存储区包括控制擦除区，所述控制擦除区包括擦除区和沿第二方向位于擦除区两侧的控制区，第二方向与第一方向垂直，所述引线区包括第一引线区、第二引线区、引线连接区和源引线区，第一引线区与擦除区一侧的控制区在第一方向邻接，第二引线区与擦除区另一侧的控制区在第一方向邻接，源引线区与擦除区在第一方向邻接，引线连接区沿第二方向延伸且分别与第一引线区和第二引线区连接，第一引线区、第二引线区和引线连接区包围源引线区，引线连接区在第一方向上的宽度大于第一引线区在第二方向上的宽度且大于第二引线区在第二方向上的宽度；

位于半导体衬底擦除区中和源引线区中的源区；

位于半导体衬底擦除区上的擦除栅，所述擦除栅位于擦除区的源区上且未延伸至引线区；

位于半导体衬底部分控制区上的浮栅极结构，且浮栅极结构分别位于擦除栅在第二方向的两侧，浮栅极结构未延伸至引线区；

位于半导体衬底控制区、第一引线区、第二引线区和引线连接区上的控制栅极结构，且控制区的控制栅极结构还位于浮栅极结构上；

控制栅插塞，所述控制栅插塞位于引线连接区的控制栅极结构的顶部表面。

2.根据权利要求1所述的快闪存储器，其特征在于，所述第一引线区在第二方向上的宽度等于第二引线区在第二方向上的宽度，且第一引线区在第二方向上的宽度等于各控制区在第二方向上的宽度；所述引线连接区在第一方向上的宽度为第一引线区在第二方向上的宽度的1.5倍～3倍，引线连接区在第一方向上的宽度为第二引线区在第二方向上的宽度的1.5倍～3倍。

3.根据权利要求1所述的快闪存储器，其特征在于，所述控制栅极结构包括：控制栅极结构本体、控制栅顶保护层和控制栅隔离层，所述控制栅极结构本体位于半导体衬底控制区、第一引线区、第二引线区和引线连接区上，且控制区的控制栅极结构还位于浮栅极结构上，控制区的控制栅极结构本体在第二方向的宽度小于浮栅极结构在第二方向的宽度，控制栅顶保护层位于控制区的控制栅极结构本体的顶部表面，且控制栅顶保护层未覆盖第一引线区、第二引线区和引线连接区的控制栅极结构本体的顶部表面，所述控制栅隔离层位于所述控制栅极结构本体的侧壁；所述控制栅插塞位于引线连接区的控制栅极结构本体的顶部表面。

4.根据权利要求1所述的快闪存储器，其特征在于，所述浮栅极结构的顶部表面呈凹陷状；所述浮栅极结构的顶部边缘朝向擦除栅的一侧具有尖端。

5.根据权利要求1所述的快闪存储器，其特征在于，还包括：位于所述源引线区的源区上的源插塞，所述源插塞与源引线区的源区电学连接；位于所述擦除栅和擦除区的源区之间、以及擦除栅和浮栅极结构之间的擦除隔离层；

所述有效存储区还包括字线位线区，所述字线位线区分别位于控制擦除区在第二方向的两侧；所述快闪存储器还包括：分别位于擦除栅、浮栅极结构和控制栅极结构两侧字线位线区上的字线结构；位于字线结构、擦除栅和控制栅极结构两侧的半导体衬底字线位线区中的漏区。