[发明专利]一种空间太阳电池用全反射玻璃盖片及其制备方法在审
| 申请号： | 201810517083.X | 申请日： | 2018-05-25 |
| 公开（公告）号： | CN110600567A | 公开（公告）日： | 2019-12-20 |
| 发明（设计）人： | 方亮;高鹏;薛超;王赫;唐悦;石璘;张启明 | 申请（专利权）人： | 中国电子科技集团公司第十八研究所 |
| 主分类号： | H01L31/048 | 分类号： | H01L31/048;H01L31/054;H01L31/18 |
| 代理公司： | 12101 天津市鼎和专利商标代理有限公司 | 代理人： | 李凤 |
| 地址： | 300384 天津市滨海*** | 国省代码： | 天津;12 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 盖片 空间太阳电池 全反射玻璃 玻璃盖片 受光面 制备 单层纳米球 减反射膜 纳米球 全光谱 蛾眼 刻蚀 反应离子刻蚀 表面形成 电池效率 规模生产 刻蚀玻璃 有效减少 入射光 透过率 掩模版 圆锥体 反射 | ||
1.一种空间太阳电池用全反射玻璃盖片，其特征是：空间太阳电池用全反射玻璃盖片是通过Langmuir-Blodgett法在玻璃盖片的表面形成单层纳米球，通过刻蚀纳米球在玻璃盖片受光面形成有“蛾眼”结构减反射膜。
2.根据权利要求1所述的空间太阳电池用全反射玻璃盖片，其特征是：玻璃盖片表面形成的单层纳米球直径为20-800nm。
3.根据权利要求1或2所述的空间太阳电池用全反射玻璃盖片，其特征是：空间太阳电池的衬底是Ge、GaAs、InP或Si。
4.根据权利要求3所述的空间太阳电池用全反射玻璃盖片，其特征是：GaAs太阳电池为单结和多结级联、晶格匹配和晶格失配、反向和正向生长的空间太阳电池。
5.一种空间太阳电池用全反射玻璃盖片的制备方法，其特征是：空间太阳电池用全反射玻璃盖片的制备方法是通过Langmuir-Blodgett法在玻璃盖片的表面上形成单层纳米球，纳米球作为反应离子刻蚀的掩模版；刻蚀玻璃盖片的受光面，当形成高度100-1000nm的圆锥体时停止刻蚀，得到受光面形成有“蛾眼”结构减反射膜的空间太阳电池用全反射玻璃盖片。
6.根据权利要求5所述的空间太阳电池用全反射玻璃盖片的制备方法，其特征是：掩模版的纳米球是Au或Ag金属，TiO2、Al2O3或SiO2金属氧化物。
7.根据权利要求5或6所述的空间太阳电池用全反射玻璃盖片的制备方法，其特征是：反应离子刻蚀气体是O2、CF4、C2ClF5、Cl2、SF6或CClF3。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
