[发明专利]柔性硅片的制备方法有效
申请号: | 201810517115.6 | 申请日: | 2018-05-25 |
公开(公告)号: | CN110526202B | 公开(公告)日: | 2022-11-01 |
发明(设计)人: | 冯雪;蒋晔;陈颖;付浩然;张柏诚;刘兰兰 | 申请(专利权)人: | 浙江清华柔性电子技术研究院;清华大学 |
主分类号: | B81C1/00 | 分类号: | B81C1/00 |
代理公司: | 杭州华进联浙知识产权代理有限公司 33250 | 代理人: | 李丽华 |
地址: | 314006 浙江省嘉兴*** | 国省代码: | 浙江;33 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 柔性 硅片 制备 方法 | ||
1.一种柔性硅片的制备方法,其特征在于,包括步骤:
提供一硅片,所述硅片包括第一表面、与所述第一表面相背的第二表面、以及位于所述硅片周侧的侧面;
在所述硅片的所述第一表面和所述侧面上形成抗刻蚀层;
在所述硅片的所述第二表面上刻蚀形成微结构;
采用反应离子刻蚀技术刻蚀形成有所述微结构的硅片,减薄所述硅片;
去除所述微结构和所述抗刻蚀层,得到柔性硅片。
2.根据权利要求1所述的柔性硅片的制备方法,其特征在于,采用反应离子刻蚀技术刻蚀形成所述微结构。
3.根据权利要求2所述的柔性硅片的制备方法,其特征在于,所述采用反应离子刻蚀技术刻蚀形成所述微结构步骤中的刻蚀气体包括含卤素气体和氧化性气体。
4.根据权利要求3所述的柔性硅片的制备方法,其特征在于,所述刻蚀气体的流量为30sccm~300sccm,其中含卤素气体和氧化性气体的比例为1:1~8:1。
5.根据权利要求3所述的柔性硅片的制备方法,其特征在于,所述含卤素气体为SF6、CF4、Cl2中的至少一种。
6.根据权利要求3所述的柔性硅片的制备方法,其特征在于,所述氧化性气体为O2。
7.根据权利要求1所述的柔性硅片的制备方法,其特征在于,所述微结构为孔状结构、锥状结构、柱状结构、针状结构、线状结构中的至少一种。
8.根据权利要求1所述的柔性硅片的制备方法,其特征在于,所述采用反应离子刻蚀技术刻蚀形成有所述微结构的硅片的步骤中的刻蚀气体为含卤素气体,所述含卤素气体为SF6、CF4中的至少一种。
9.根据权利要求1所述的柔性硅片的制备方法,其特征在于,所述采用反应离子刻蚀技术刻蚀形成所述微结构步骤中的刻蚀气体的流量为30sccm~300sccm。
10.根据权利要求1所述的柔性硅片的制备方法,其特征在于,所述微结构采用化学抛光溶液去除。
11.根据权利要求10所述的柔性硅片的制备方法,其特征在于,所述化学抛光溶液为NaOH溶液或KOH溶液,质量分数为20%~50%。
12.根据权利要求1所述的柔性硅片的制备方法,其特征在于,采用化学气相沉积方法沉积形成所述抗刻蚀层。
13.根据权利要求1所述的柔性硅片的制备方法,其特征在于,所述抗刻蚀层采用刻蚀溶液去除。
14.根据权利要求13所述的柔性硅片的制备方法,其特征在于,所述刻蚀溶液为HF溶液。
15.根据权利要求1所述的柔性硅片的制备方法,其特征在于,所述硅片为525μm~775μm的晶圆硅片或160μm~220μm的太阳电池级硅片;及/或
所述抗刻蚀层的厚度为1μm~5μm;及/或
所述抗刻蚀层为氮化硅层,所述氮化硅层中Si/N=1:1.5~1:1.1;及/或
所述柔性硅片的厚度为10μm~50μm。
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