[发明专利]集成电路存储器及其形成方法、半导体集成电路器件

说明书

本发明提供了一种集成电路存储器及其形成方法、半导体集成电路器件。通过在位线组的外围上设置外围隔墙，从而有利于缓解位线组中位于边缘位置的位线产生图形变形的问题，并且还可使位线组中对应边缘位置和对应中间位置的电路排布密集程度相近甚至相同，从而确保所形成的位线组中其各个位线的形貌均匀性。

技术领域

本发明涉及半导体集成电路技术领域，特别涉及一种集成电路存储器及其形成方法、半导体集成电路器件。

背景技术

集成电路存储器通常具有存储单元阵列，所述存储单元阵列中包括多个呈阵列式排布的存储单元。以及，所述集成电路存储器还具有多条字线和多条位线，每一字线和每一位线分别与相应的存储单元电性连接，从而实现各个存储单元的存储功能。

图1为现有的一种集成电路存储器的结构示意图，如图1所示，集成电路存储器包括：

多个有源区10，多个所述有源区10呈阵列式排布，多个所述有源区用于形成多个存储单元；

一字线组20，所述字线组20包括多条沿着第一方向(X方向)依次排布的字线21，每一所述字线21在第二方向(Y方向)上延伸并与相应的所述有源区10相交；以及，

一位线组30，所述位线组30包括多条沿着第二方向(Y方向)依次排布的位线31/31’，每一所述位线31在第一方向(X方向)上延伸并与相应的所述有源区10相交。

在形成图1所示的集成电路存储器时，其制备过程通常为：首先，提供一衬底，并在所述衬底中定义出多个有源区；接着，形成字线组在所述衬底中；接着，形成位线组在所述衬底上。其中，所述位线组的形成方法例如为：首先沉积一位线材料层在衬底上；接着，形成一掩膜层在所述位线材料层上，所述掩膜层定义出位线组中多条位线的图形；接着，以掩膜层为掩膜刻蚀所述位线材料层，以形成所述位线组。

然而，继续参考图1所示，在形成如上所述的集成电路存储器时，其所形成的位线组30中对应在边缘位置上的位线31’，其图形形貌极易发生变形，从而会对位线的性能造成不利影响，导致最终所形成的集成电路存储器其稳定性较差。

发明内容

本发明的目的在于提供一种集成电路存储器，以解决现有的集成电路存储器其位线组中位于边缘位置上的位线常常出现图形变形的问题。

为解决上述技术问题，本发明提供一种集成电路存储器，包括：

一衬底，所述衬底中具有多个呈阵列式排布的有源区；

一字线组，形成在所述衬底中，所述字线组包括多条沿着第一方向依次排布的字线，每一所述字线在第二方向上延伸并与相应的所述有源区连接；

一位线组，形成在所述衬底上，所述位线组包括多条沿着第二方向依次排布的位线，每一所述位线在第一方向上延伸并与相应的所述有源区连接；以及，

一外围隔墙，形成在所述衬底上并设置在所述位线组的外围，并且所述外围隔墙和所述位线组位于同一结构层中。

可选的，相邻的所述位线之间具有第一间隔尺寸，所述外围隔墙与最接近的位线之间具有第二间隔尺寸，所述第二间隔尺寸与所述第一间隔尺寸的绝对差值小于等于所述位线的宽度值。

可选的，所述位线隔墙包括第一隔墙部，所述第一隔墙部沿着所述第一方向延伸，并设置在对应边缘位置的位线远离位线组中心的外侧。

可选的，所述外围隔墙还包括第二隔墙部，所述第二隔墙部沿着所述第二方向延伸，并设置在所述位线组靠近各个位线端部的外侧。

可选的，所述第一隔墙部和所述第二隔墙部的端部相互连接，以使所构成的外围隔墙配置为环形结构，并环绕在所述位线组的外周围上。

可选的，所述外围隔墙的宽度尺寸大于所述位线的宽度尺寸。