[发明专利]磁性结、磁性存储器以及提供所述磁性结的方法

权利要求书

1.一种磁性结，存在于衬底上且能够用于磁性器件中，其特征在于，所述磁性结包括：

被钉扎层；

非磁性分隔层；

自由层，当写入电流通过所述磁性结时，所述自由层能够在多种稳定磁性状态之间切换，所述非磁性分隔层存在于所述被钉扎层与所述自由层之间；

氧化物层，邻近所述自由层，所述自由层位于所述非磁性分隔层与所述氧化物层之间；以及

第一氧阻挡层，设置于所述被钉扎层与所述非磁性分隔层之间。

2.根据权利要求1所述的磁性结，其特征在于，还包括第二氧阻挡层，使所述氧化物层位于所述第二氧阻挡层与所述自由层之间。

3.根据权利要求2所述的磁性结，其特征在于，所述第二氧阻挡层距离所述自由层不大于二十埃，且所述氧化物层与所述自由层共享界面。

4.根据权利要求2所述的磁性结，其特征在于，还包括：

至少一个氧吸附层，与所述第二氧阻挡层共享第一界面，所述至少一个氧吸附层具有选自第一位置及第二位置的位置，所述第一位置位于所述第二氧阻挡层与所述氧化物层之间，所述第二位置使所述第二氧阻挡层位于所述氧吸附层与所述氧化物层之间。

5.根据权利要求4所述的磁性结，其特征在于，还包括：

至少一个微调层，所述第二氧阻挡层位于所述至少一个微调层与所述自由层之间。

6.根据权利要求4所述的磁性结，其特征在于，所述至少一个氧吸附层包含Mg及Ti中的至少一者。

7.根据权利要求2所述的磁性结，其特征在于，还包括：

至少一个微调层，所述第二氧阻挡层位于所述至少一个微调层与所述氧化物层之间。

8.根据权利要求7所述的磁性结，其特征在于，所述至少一个微调层包含Mo、W、Ir、Ru及Ta中的至少一者。

9.根据权利要求2所述的磁性结，其特征在于，所述第二氧阻挡层包含Ir及Ru中的至少一者。

10.根据权利要求9所述的磁性结，其特征在于，所述第二氧阻挡层选自Ir层、Ru层、Ir/Ru双层及Ru/Ir双层。

11.根据权利要求2所述的磁性结，其特征在于，所述氧化物层包含氧化镁、氧化钽、氧化钨、氧化钛、氧化钒及双层氧化物层中的至少一者，所述双层氧化物层包含Ir及Mg。

12.一种磁性存储器，存在于衬底上，其特征在于，包括：

多个磁性存储单元，所述多个磁性存储单元中的每一者包括被钉扎层、非磁性分隔层、自由层、氧化物层及第一氧阻挡层，当写入电流通过磁性结时，所述自由层能够在多种稳定磁性状态之间切换，所述非磁性分隔层存在于所述被钉扎层与所述自由层之间，所述氧化物层邻近所述自由层，所述自由层位于所述非磁性分隔层与所述氧化物层之间，所述第一氧阻挡层设置于所述被钉扎层与所述非磁性分隔层之间；以及

多条位线，与所述多个磁性存储单元耦合。

13.一种提供能够用于磁性器件中的磁性结的方法，其特征在于，包括：

提供被钉扎层；

提供非磁性分隔层；

提供自由层，当写入电流通过所述磁性结时，所述自由层能够在多种稳定磁性状态之间切换，所述非磁性分隔层存在于所述被钉扎层与所述自由层之间；

提供邻近所述自由层的氧化物层，所述自由层位于所述非磁性分隔层与所述氧化物层之间；以及

提供第一氧阻挡层，所述第一氧阻挡层设置于所述被钉扎层与所述非磁性分隔层之间。

14.根据权利要求13所述的提供能够用于磁性器件中的磁性结的方法，其特征在于，还包括提供第二氧阻挡层，使所述氧化物层位于所述第二氧阻挡层与所述自由层之间。