[发明专利]适用于共阳极的自发光电流型像素单元电路、驱动电流的产生方法有效

专利信息
申请号: 201810517616.4 申请日: 2018-05-25
公开(公告)号: CN108447447B 公开(公告)日: 2023-08-08
发明(设计)人: 赵博华 申请(专利权)人: 南京微芯华谱信息科技有限公司
主分类号: G09G3/3233 分类号: G09G3/3233
代理公司: 南京天华专利代理有限责任公司 32218 代理人: 刘畅
地址: 210000 江*** 国省代码: 江苏;32
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摘要:
搜索关键词: 适用于 阳极 自发 电流 像素 单元 电路 驱动 产生 方法
【权利要求书】:

1.一种驱动电流的产生方法,基于一种适用于共阳极的自发光电流型像素单元电路,电路包括:第一晶体管M1、第二晶体管M2、第三晶体管M3、第四晶体管M4、采样保持电容C1、数据信号线IDATA、开关控制信号线SMP_HLD、第一输入电压信号线V1和第二输入电压信号线V2、地线GND、发光器件的阳极电源线VDDH、发光器件,

所述发光器件的阳极与电源线VDDH相连;

所述发光器件的阴极与第四晶体管M4的源极相连;

所述开关控制信号线SMP_HLD分别连接第二晶体管M2的栅极、第三晶体管M3的栅极、第四晶体管M4的栅极;

所述数据信号线IDATA分别连接第二晶体管M2的源极、第三晶体管M3的源极;

所述地线GND、第一输入电压信号线V1或第二输入电压信号线V2在采样保持电容C1的下极板切换,采样保持电容C1的上极板分别连接第一晶体管M1的栅极、第二晶体管M2的漏极;

所述第一晶体管M1的漏极、第三晶体管M3的漏极、第四晶体管M4的漏极彼此互联;

所述第一晶体管M1的源极连接地线GND;

第二输入电压信号线V2电压值>第一输入电压信号线V1电压值;

其特征在于方法包括两个工作模式:大电流工作模式和小电流工作模式,大电流工作模式下,采样保持电容C1的下极板直接与地线GND连接;小电流工作模式下,采样保持电容C1的下极板在不同的工作阶段分别与第一输入电压信号线V1或第二输入电压信号线V2连接。

2.根据权利要求1所述的方法,其特征在于所述大电流工作模式包括:

(1)数据采样阶段,开关控制信号线SMP_HLD处于高电平,第二晶体管M2和第三晶体管M3导通,第四晶体管M4截止,发光器件处于不发光状态;此时第一晶体管M1的栅极和第三晶体管M3的漏极短接在一起,第一晶体管M1构成一个二极管的连接形式;与此同时,第一晶体管M1的电流流过第二晶体管M2和第三晶体管M3,该电流与数据信号线IDATA的输入电流一致;最终数据信号线IDATA的电流转化为电压信号VDATA保存在采样保持电容C1的上极板即第一晶体管M1的栅极;采样保持电容C1的下极板与地线GND连接;

(2)发光阶段,开关控制信号线SMP_HLD处于低电平,第二晶体管M2和第三晶体管M3截止,第四晶体管M4导通,保持在采样保持电容C1的下极板的电压VDATA驱动第一晶体管M1生成驱动电流并流过第四晶体管M4、发光器件,发光器件发光;采样保持电容C1的下极板保持与地线GND连接。

3.根据权利要求1所述的方法,其特征在于所述小电流工作模式包括:

(1)数据采样阶段,开关控制信号线SMP_HLD处于高电平,第二晶体管M2和第三晶体管M3导通,第四晶体管M4截止,发光器件处于不发光状态;此时第一晶体管M1的栅极和第三晶体管M3的漏极短接在一起,第一晶体管M1构成一个二极管的连接形式;与此同时,第一晶体管M1的电流流过第二晶体管M2和第三晶体管M3,该电流与数据信号线IDATA的输入电流一致;最终数据信号线IDATA的电流转化为电压信号VDATA保存在采样保持电容C1的上极板即第一晶体管M1的栅极;采样保持电容C1的下极板保持与第一输入电压信号线V1连接;

(2)发光阶段,开关控制信号线SMP_HLD处于低电平,第二晶体管M2和第三晶体管M3截止,第四晶体管M4导通,将采样保持电容C1的上极板的连接信号线由第一输入电压信号线V1切换到第二输入电压信号线V2;此时采样保持电容C1的上极板处于悬空状态,故采样保持电容C1的上极板的电压信号VDATA变化为VDATA+(V2-V1),该电压信号驱动第一晶体管M1生成对应的驱动电流并流过第四晶体管M4、发光器件,发光器件发光。

4.一种图像或者视频的显示方法,基于权利要求2所述的驱动电流的产生方法,其特征在于在两个工作阶段的交替运行完成一帧帧的显示数据更新,进而完成图像或者视频的显示。

5.一种图像或者视频的显示方法,基于权利要求3所述的驱动电流的产生方法,其特征在于在两个工作阶段的交替运行完成一帧帧的显示数据更新,进而完成图像或者视频的显示。

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