[发明专利]金属膜的选择性沉积

权利要求书

1.一种用于将金属膜相对于衬底的第二介电表面选择性沉积在同一个衬底的第一金属表面上的方法，所述方法包含：

进行第一金属表面处理工艺，包含通过所述第一金属表面处理工艺从所述衬底的所述第一金属表面去除表面层，使得在所述第二介电表面上不提供大量新的表面基团或配体，其中所述第一金属表面处理工艺包含将所述衬底的至少所述第一金属表面暴露于由包含HCOOH、NH₃和H₂的气体生成的等离子体中；以及

将金属膜以大于50％的选择率相对于所述衬底的所述第二介电表面选择性沉积在所述衬底的所述处理的第一金属表面上。

2.根据权利要求1所述的方法，其中所述第一金属表面处理工艺包含将所述衬底的所述第一金属表面和所述衬底的所述第二介电表面暴露于由所述气体生成的所述等离子体中。

3.根据权利要求1所述的方法，其中所述第一金属表面处理工艺更包含还原和/或去除所述衬底的所述第一金属表面上所存在的金属氧化物层。

4.根据权利要求1所述的方法，其中所去除的表面层包含有机材料。

5.根据权利要求4所述的方法，其中所去除的表面层包含钝化层。

6.根据权利要求5所述的方法，其中所去除的表面层包含苯并三唑(BTA)。

7.根据权利要求1所述的方法，其中所述气体由包含惰性气体的载气提供。

8.根据权利要求1所述的方法，其中所述衬底在所述第一金属表面处理工艺过程中的温度是300℃。

9.根据权利要求1所述的方法，其中所述第一金属表面处理工艺包含将所述衬底的至少所述第一金属表面暴露于所述等离子体中，持续1秒到10分钟。

10.根据权利要求1所述的方法，其中所述等离子体通过向所述气体提供10W到3000W的RF功率生成。

11.根据权利要求10所述的方法，其中所述RF功率的频率是1MHz到10GHz。

12.根据权利要求1所述的方法，其中生成所述等离子体的所述气体的压力是1Pa到5000Pa。

13.根据权利要求1所述的方法，其中被选择性沉积的金属膜包含钨。

14.根据权利要求1所述的方法，其中所述第一金属表面包含铜或钴。

15.根据权利要求1所述的方法，其中所述第二介电表面包含硅。