[发明专利]薄膜晶体管在审
| 申请号： | 201810519773.9 | 申请日： | 2018-05-28 |
| 公开（公告）号： | CN108682693A | 公开（公告）日： | 2018-10-19 |
| 发明（设计）人： | 欧甜;张俊明 | 申请（专利权）人： | 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;H01L29/423 |
| 代理公司： | 深圳翼盛智成知识产权事务所(普通合伙) 44300 | 代理人： | 黄威 |
| 地址： | 518132 广东省深*** | 国省代码： | 广东;44 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 基板 半导体层 漏极 源极 黑色树脂层 薄膜晶体管 减小 绝缘层 寄生电容 栅极线宽 遮光区域 光照射 膜层 异层 遮挡 替代 覆盖 | ||
1.一种薄膜晶体管，其特征在于，包括：
基板，以及设置于所述基板上的栅极、源极、漏极、半导体层以及绝缘层；
所述源极与所述漏极位于同一膜层，且两者之间形成有空隙；
所述栅极设置于所述基板上，且对应位于所述源极与所述漏极之间的空隙下方；以及，
遮光层，设置于所述基板与所述栅极之间，并且，所述遮光层的遮光区域至少覆盖所述半导体层。
2.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述遮光层采用绝缘材料制备。
3.根据权利要求2所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述遮光层为黑色树脂层。
4.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述遮光层的遮光区域覆盖所述源极和所述漏极。
5.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述遮光层采用金属材料制备，所述遮光层与所述栅极之间设置有绝缘层。
6.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述遮光层设置于所述基板表面，所述栅极设置于所述遮光层表面。
7.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述基板表面设置有栅绝缘层，所述半导体层设置于所述栅绝缘层表面，所述源极和所述漏极设置于所述半导体层上。
8.根据权利要求7所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述半导体层表面设置有第一欧姆接触层和第二欧姆接触层，所述第一欧姆接触层与所述第二欧姆接触层之间形成有空隙；所述源极设置于所述第一欧姆接触层表面，所述漏极设置于所述第二欧姆接触层表面。
9.根据权利要求8所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述栅极的线宽小于或等于所述空隙的宽度。
10.一种阵列基板，其特征在于，包括权利要求1-9任一项权利要求所述的薄膜晶体管的阵列。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于深圳市华星光电半导体显示技术有限公司，未经深圳市华星光电半导体显示技术有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201810519773.9/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
