[发明专利]一种超低正向压降的Trench肖特基器件及制造方法

权利要求书

1.一种超低正向压降的Trench肖特基器件，包括位于半导体基板的有源区和终端区，在所述肖特基器件的俯视平面上，所述有源区位于半导体基板的中心区，终端区位于有源区的外圈并环绕包围所述有源区；在所述肖特基器件的截面上，所述半导体基板包括位于上方的漂移区以及位于下方的衬底，所述衬底邻接漂移区，漂移区的上表面形成半导体基板的第一主面，衬底的下表面形成半导体基板的第二主面；其特征在于：在有源区内，半导体基板内设有若干个均匀分布的沟槽，所述沟槽从半导体基板的第一主面指向第二主面的方向上，穿过漂移区延伸到衬底内；在过渡区及与过渡区相邻的终端区内，半导体基板内设有一个宽沟槽，所述宽沟槽从半导体基板的第一主面指向第二主面的方向上，穿过漂移区延伸到衬底内；在终端区内，半导体基板的第一主面上淀积有钝化层。

2.根据权利要求1所述的一种超低正向压降的Trench肖特基器件，其特征在于，在有源区内，所述沟槽内填充有厚氧化层及厚氧化层包裹的有源区多晶硅。

3.根据权利要求1所述的一种超低正向压降的Trench肖特基器件，其特征在于，在有源区内，在半导体基板的第一主面上依次淀积有TI/TIN层和金属层，且TI/TIN层与所述沟槽内的有源区多晶硅接触。

4.根据权利要求1所述的一种超低正向压降的Trench肖特基器件，其特征在于，所述宽沟槽内填充有厚氧化层，所述厚氧化层形成的槽内填充有过渡区多晶硅及与过渡区多晶硅邻接的终端区多晶硅，且宽沟槽内的过渡区多晶硅与TI/TIN层接触。

5.一种超低正向压降的Trench肖特基器件的制造方法，其特征在于，包括如下步骤：

步骤一. 提供具有两个相对主面的半导体基板，所述两个相对主面包括第一主面与第二主面，在第一主面与第二主面间包括漂移区以及位于所述漂移区下方的衬底；

步骤三. 利用硬掩膜层的遮挡，对半导体基板的第一主面进行各向异性干法刻蚀，以在漂移区内形成沟槽及宽沟槽，所述沟槽和宽沟槽穿过漂移区并延伸到衬底内；

步骤四. 去除上述第一主面上的硬掩膜层，并在半导体基板的第一主面以及上述沟槽和宽沟槽内生长一层绝缘氧化层；

步骤五. 在上述第一主面上淀积导电多晶硅，所述导电多晶硅覆盖在第一主面的绝缘氧化层上，并填充在沟槽和宽沟槽内；

步骤六. 选择性地刻蚀上述导电多晶硅，去除厚氧化层上的导电多晶硅，以得到位于有源区沟槽内的有源区多晶硅、位于过渡区宽沟槽内的过渡区多晶硅及终端区宽沟槽内与过渡区多晶硅相邻的终端区多晶硅；

步骤七. 选择性地腐蚀上述绝缘氧化层，得到位于沟槽和宽沟槽内的厚氧化层；

步骤八. 在半导体基板的第一主面上淀积一层TI/TIN层，并进行退火；

步骤九. 在上述TI/TIN层上淀积一层金属层；

步骤十. 在光刻板的遮挡下，选择性刻蚀金属层和TI/TIN层，去除终端区的金属层和TI/TIN层；

步骤十一. 在半导体基板的第一主面上淀积钝化层，在光刻板的遮挡下，选择性地刻蚀钝化层，以得到位于终端区和过渡区的钝化层；

步骤十二. 对半导体基板的第二主面进行减薄后，并淀积背面金属。

6.根据权利要求5所述的一种超低正向压降的Trench肖特基器件的制造方法，其特征在于，刻蚀沟槽和宽沟槽的过程中，先在半导体基板的第一主面上淀积硬掩膜层，并选择性地掩蔽刻蚀所述硬掩膜层，以得到所需的硬掩膜窗口，所述硬掩膜窗口贯通硬掩膜层，利用硬掩膜窗口的的掩蔽，进行刻蚀得到沟槽和宽沟槽 。

7.根据权利要求3或5所述的一种超低正向压降的Trench肖特基器件，其特征在于，所述金属层包括Al层、Si层和Cu层，所述背面金属包括Ti层、Ni层和Ag层。

8.根据权利要求5所述的一种超低正向压降的Trench肖特基器件的制造方法，其特征在于，所述硬掩膜层包括LPTEOS、热氧化二氧化硅加化学气相沉积二氧化硅或热二氧化硅加氮化硅。