[发明专利]利用空气作为绝缘介质的半导体纳米线电注入发光器件

权利要求书

1.一种半导体纳米线电注入发光器件，包括上、下电极层，在上、下电极层之间是P型半导体层和水平放置于P型半导体层上的多根N型半导体纳米线，或者是N型半导体层和水平放置于N型半导体层上的多根P型半导体纳米线；该N型或P型半导体纳米线与其下对应的P型或N型半导体层的接触面构成PN异质结；所述半导体纳米线是六棱柱结构的GaN纳米线，对上电极层起支撑作用，从而在上、下电极层之间形成一层空气层。

2.如权利要求1所述的半导体纳米线电注入发光器件，其特征在于，所述上、下电极层是ITO层、FTO层、Ni/Au层或者Cr/Pt/Au层。

3.如权利要求1所述的半导体纳米线电注入发光器件，其特征在于，所述P型半导体层是P-Si层、P-GaN层或者其他P型半导体层，所述N型半导体纳米线是N型GaN纳米线。

4.如权利要求1所述的半导体纳米线电注入发光器件，其特征在于，所述N型半导体层是N-Si层或N型GaN层，所述P型半导体纳米线是P型GaN纳米线。

5.如权利要求1所述的半导体纳米线电注入发光器件，其特征在于，所述纳米线的直径≥500nm，每根纳米线的长度≥5μm。

6.如权利要求1所述的半导体纳米线电注入发光器件，其特征在于，多根半导体纳米线相互平行放置，或者组成多边形放置。

7.如权利要求1所述的半导体纳米线电注入发光器件，其特征在于，所述上、下电极层为ITO层，以下ITO层作为P电极，其上放置P-Si层；在P-Si层上平行放置一对N型GaN纳米线，N型GaN纳米线和P-Si层的接触面构成了PN异质结；上ITO层覆盖在N型GaN纳米线上作为N电极。