[发明专利]基片集成波导传输结构、天线结构及连接方法

权利要求书

1.一种基片集成波导传输结构，其特征在于：包括三个金属层和一排第一信号割断结构，三个金属层从上至下分别为顶层金属层、中间金属层和底层金属层；所述第一信号割断结构起始于顶层金属层，终止于中间金属层；在所述第一信号割断结构一侧的中间金属层和底层金属层之间形成用于连接低剖面基片集成波导的第一端口，在所述第一信号割断结构另一侧的顶层金属层和底层金属层之间形成用于连接高剖面基片集成波导的第二端口。

2.根据权利要求1所述的基片集成波导传输结构，其特征在于：在所述第一端口连接有低剖面基片集成波导传输线，所述低剖面基片集成波导传输线包括底层金属层、中间金属层、两个金属层之间的介质和穿过这两层金属的两排平行的第二信号割断结构，所述第二信号割断结构的排列方向与所述第一信号割断结构的排列方向垂直；在所述第二端口连接有高剖面基片集成波导传输线，所述高剖面基片集成波导传输线包括底层金属层，顶层金属层，两个金属层之间的介质和穿过这两层金属的两排平行的第三信号割断结构，所述第三信号割断结构的排列方向与所述第一信号割断结构的排列方向垂直。

3.根据权利要求2所述的基片集成波导传输结构，其特征在于：所述高剖面基片集成波导传输线还包括第四信号割断结构，所述第四信号割断结构对称分布在两排第三信号割断结构中心线的两侧，所述第四信号割断结构始于第一信号割断结构，且离第一信号割断结构越远，第四信号割断结构分布离对称轴越远。

4.根据权利要求1所述的基片集成波导传输结构，其特征在于：所述第一信号割断结构为金属化孔或金属化槽。

5.根据权利要求2所述的基片集成波导传输结构，其特征在于：所述第二信号割断结构为金属化孔或金属化槽；所述第三信号割断结构为金属化孔或金属化槽。

6.根据权利要求3所述的基片集成波导传输结构，其特征在于：所述第四信号割断结构为金属化孔或金属化槽。

7.根据权利要求1至6任一所述的基片集成波导传输结构，其特征在于：所述传输结构通过多层印制电路板工艺实现，在多层印制电路板工艺下，整个多层结构从上至下分别为顶层金属层，第一层介质基片，中间金属层，粘贴片，第二层介质基片，底层金属，且构成低剖面基片集成波导的第二信号割断结构和高剖面基片集成波导的第三信号割断结构均为穿透整个电路结构的金属化通孔或槽；所述第一信号割断结构为顶部起于顶层金属层，底部止于中间金属层的盲孔或槽。

8.一种能直接与射频芯片进行板级集成的基片集成波导缝隙阵列天线结构，其特征在于，包括天线输入端和天线辐射端；所述天线输入端口采用低剖面基片集成波导；天线辐射端采用高剖面基片集成波导，所述高剖面基片集成波导的端部短路且顶部开设矩形槽；低剖面基片集成波导与和高剖面基片集成波导之间采用权利要求1-7任一所述的传输结构进行连接。

9.根据权利要求8所述的基片集成波导缝隙阵列天线结构，其特征在于，相邻矩形槽中心之间沿槽方向的间距为半个导波波长，相邻矩形槽交错位列于高剖面基片集成波导中心线的两侧。

10.一种如权利要求8或9所述基片集成波导缝隙阵列天线结构与射频芯片的连接方法，其特征在于，低剖面基片集成波导采用基片集成波导到微带传输线或基片集成波导到共面波导的过渡结构过渡到五十欧姆微带线或者共面波导，然后与射频芯片直接集成在电路板上。