[发明专利]基于微波等离子体的碳化硅氧化方法在审
| 申请号： | 201810521156.2 | 申请日： | 2018-05-25 |
| 公开（公告）号： | CN108584963A | 公开（公告）日： | 2018-09-28 |
| 发明（设计）人： | 刘新宇;汤益丹;王盛凯;白云;杨成樾 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | C01B33/12 | 分类号： | C01B33/12 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 任岩 |
| 地址： | 100029 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 碳化硅 氧等离子体 微波等离子体 含氧气体 衬底 微波等离子体发生装置 热力学非平衡态 二氧化硅 反应压力 界面实现 氧化效率 | ||
【权利要求书】：
1.一种基于微波等离子体的碳化硅氧化方法，其特征在于，包括：
提供碳化硅衬底；
将所述碳化硅衬底放置在微波等离子体发生装置中；
通入含氧气体，产生氧等离子体；
氧等离子体与碳化硅反应生成预定厚度的二氧化硅；
停止通入含氧气体，反应结束；
其中，氧等离子体与碳化硅的反应温度为500-900℃，反应压力为400-1000mTorr。
2.根据权利要求1所述的碳化硅氧化方法，其中，氧等离子体以0.5-2℃/s的速度升温到所述反应温度。
3.根据权利要求1所述的碳化硅氧化方法，其中，所述微波等离子体发生装置的输入功率为800-2000W，微波频率为2.4-2.5GHz。
4.根据权利要求1所述的碳化硅氧化方法，其中，等离子放电时间为400-1000s。
5.根据权利要求1所述的碳化硅氧化方法，其中，所述含氧气体为纯氧、或者为氧气与惰性气体的混合气，所述混合气中氧气含量优选为30-99vol.％。
6.根据权利要求1所述的碳化硅氧化方法，其中，生成的二氧化硅的厚度为1-60nm。
7.根据权利要求1所述的碳化硅氧化方法，其中，所述方法还包括排出生成的一氧化碳的步骤。
8.根据权利要求1所述的碳化硅氧化方法，其中，反应结束后通入氮气，在氮气氛围下冷却降温。
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