[发明专利]一种施密特触发器及其控制方法

说明书

本发明公开了一种施密特触发器及其控制方法，该施密特触发器包括：输入端；低转换点电压电路，连接于所述输入端；高转换点电压电路，连接于所述输入端；转换点电压切换电路，分别连接于所述低转换点电压电路及所述高转换点电压电路；以及输出端，分别连接于所述低转换点电压电路及所述高转换点电压电路。该发明的有益效果为：采用该施密特触发器简单的电路结构，不仅实现施密特触发器不同转换点电压的切换功能，而且极大的减小了整个电路的面积与功耗，降低芯片制作成本。

技术领域

本发明涉及集成电路芯片技术领域，尤其涉及一种施密特触发器及其控制方法。

背景技术

随着半导体集成电路的发展，集成电路芯片所用工艺越来越先进，低压低功耗逐渐成为消费类芯片的主流发展方向，同时芯片内部电路集成度越来越高，节省面积成为一颗成功的芯片的主要竞争手段之一。通常情况下，芯片内部电路所产生的精确可控的电压大多采用复杂的电路结构、精确的电阻以及相关特殊器件，但是占据了芯片内部电路面积的绝大部分，极大地增加了一颗芯片的成本；如何有效的降低功耗，减小芯片的面积，成为集成电路设计的一大难题，

现有的施密特触发器电路在工作时出于稳定性与简易性考虑，施密特触发器电路的转换点电压与迟滞范围为固定值，但是针对系统电路中对施密特触发器的转换点电压和迟滞范围的不同要求，会采用不同尺寸的晶体管来设计多个不同转换点电压的施密特触发器，但是这种方法通常会占据较大的芯片面积，增加芯片的成本，同时芯片的整体瞬态功耗会增加。若改变施密特触发器电路的结构，通过引入复杂控制电路来控制不同的转换点电压与迟滞范围的切换，同样会引入较大的功耗与面积，反而得不偿失。通过分析芯片内部运用数目最多但面积小的晶体管器件的结构，将电路中通用的晶体管接成开关的方式可以代替复杂电路中的控制电路，既实现施密特触发器电路的基本功能，又使得电路的转换点电压简单可调，而且极大的节省了电路的面积，降低芯片的成本。

发明内容

本发明要解决的技术问题在于，针对现有技术中采用不同尺寸的晶体管来设计多个不同转换点电压的施密特触发器，这种方法通常会占据较大的芯片面积，增加芯片的成本，同时芯片的整体瞬态功耗会增加；若改变施密特触发器电路的结构，通过引入复杂控制电路来控制不同的转换点电压与迟滞范围的切换，同样会引入较大的功耗与面积的问题，提供一种施密特触发器及其控制方法。

本发明解决其技术问题所采用的技术方案是：

一方面，提供一种施密特触发器，包括：

输入端；

低转换点电压电路，连接于所述输入端；

高转换点电压电路，连接于所述输入端；

转换点电压切换电路，分别连接于所述低转换点电压电路及所述高转换点电压电路；以及

输出端，分别连接于所述低转换点电压电路及所述高转换点电压电路。

在本发明所述的施密特触发器中，所述高转换点电压电路包括：

第一MOS管，所述第一MOS管的G极连接于所述输入端；

第二MOS管，所述第二MOS管的G极连接于所述输入端，所述第二 MOS管的S极连接于所述第一MOS管的D极，所述第二MOS管的D极连接于所述输出端；以及

第三MOS管，所述第三MOS管的S极连接于所述第一MOS管的D极及所述第二MOS管的S极之间，所述第三MOS管的G极连接于所述输出端。

在本发明所述的施密特触发器中，所述低转换点电压电路包括：

第四MOS管，所述第四MOS管的D极连接于所述输出端，所述第四 MOS管的G极连接于所述输入端；

第五MOS管，所述第五MOS管的D级连接于所述第四MOS管的S极，所述第五MOS管的G极连接于所述输入端；以及