[发明专利]一种硝酸盐体系制备铜镓碲薄膜的方法在审
申请号: | 201810522852.5 | 申请日: | 2018-05-28 |
公开(公告)号: | CN108682619A | 公开(公告)日: | 2018-10-19 |
发明(设计)人: | 李静;刘科高;许超;赵忠新;刘宏 | 申请(专利权)人: | 山东建筑大学 |
主分类号: | H01L21/02 | 分类号: | H01L21/02;H01L31/18 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 250101 山东省*** | 国省代码: | 山东;37 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 光电薄膜 制备 前驱体薄膜样品 硝酸盐体系 放入 薄膜 制备技术领域 高真空条件 可密闭容器 前驱体薄膜 热处理工艺 生产成本低 制备高性能 薄膜材料 玻璃基片 澄清透明 密闭容器 生产效率 水合联氨 仪器设备 自然晾干 玻璃片 均匀性 新工艺 旋涂法 溶剂 联氨 加热 配制 清洗 取出 生产 | ||
1.一种硝酸盐体系制备铜镓碲薄膜的方法,包括如下顺序的步骤:
玻璃基片或硅基片的清洗;
先将2.0~5.0份TeO2放入30~120份的溶剂中,待其完全反应后,将1.0~3.0份Cu(NO3)2、1.0~3.0份Ga(NO3)3放入,使溶液中的物质均匀混合;
制作表面均匀涂布步骤b所述溶液的基片,自然晾干,得到前驱体薄膜样品;
d.将步骤c所得前驱体薄膜样品置于支架上,放入有水合联氨的可密闭容器,使前驱体薄膜样品不与联氨接触;水合联氨放入量为30.0~45.0份;将上述装有前驱体薄膜样品的密闭容器放入烘箱中,加热至160~220℃之间,保温时间10~60小时,然后冷却到室温取出;
e.取出自然干燥后,重复b、c和d步骤2~6次,以增加所制备薄膜的厚度;
f.将步骤e所得物,使其常温自然干燥后,增加热处理工艺,在管式加热炉中加热至200~400℃,保温5~15小时,即得到铜镓碲光电薄膜。
2.如权利要求1所述的一种硝酸盐体系制备铜镓碲光电薄膜的方法,其特征在于,步骤a所述清洗,将玻璃片或硅片切至20mm×20mm×2mm大小作为薄膜基片,然后用去离子水清洗2~3次,随后经过稀硫酸煮沸30~40min、水浴加热40~50min、去离子水超声清洗20min,这三个重要清洗步骤后,用双氧水浸泡保存备用即可。
3.如权利要求1所述的一种硝酸盐体系制备铜镓碲光电薄膜的方法,其特征在于,步骤b所述溶剂为盐酸溶液。
4.如权利要求1所述的一种硝酸盐体系制备铜镓碲光电薄膜的方法,其特征在于,步骤c所述均匀涂抹的基片,是通过匀胶机旋涂,匀胶机以200~3500转/分旋转,然后对基片进行烘干后,再次如此重复2~8次,得到了一定厚度的前驱体薄膜样品。
5.如权利要求1所述的一种硝酸盐体系制备铜镓碲光电薄膜的方法,其特征在于,步骤d所述密闭容器内放入30.0~45.0份水合联氨。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
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