[发明专利]微机电系统封装体及其制造方法

权利要求书

1.一种制造微机电系统封装体的方法，包括：

准备一盖基板，具有在该盖基板上定义的一第一装置区、一第二装置区及一切割道区；

在该盖基板的一前侧，在该第一装置区中形成一第一沟槽，在该第二装置区中形成一第二沟槽以及在该切割道区中形成一切割沟槽；

在该盖基板上形成及图案化一硬掩模，以覆盖一部分的该第一沟槽的一底表面，而露出该第一沟槽的该底表面的一剩余部分、该第二沟槽以及该切割沟槽；

对该第二沟槽进行一蚀刻以降低该第二沟槽的一底表面，使得该第二沟槽的该底表面比该第一沟槽的该底表面低；

在该硬掩模到位的情况下，对该盖基板进行一蚀刻，以使该第一沟槽的该底表面的一未覆盖部分被凹蚀，而该第一沟槽的该底表面的一覆盖部分未改变，以在该第一沟槽中形成一停止部；以及

将该盖基板的该前侧接合到一装置基板，封闭在一第一微机电系统装置上的该第一沟槽。

2.如权利要求1所述的制造微机电系统封装体的方法，其中在形成该硬掩模前，将该第一沟槽及该切割沟槽形成为具有相同的深度。

3.如权利要求1所述的制造微机电系统封装体的方法，还包括：

在该第一沟槽中形成该停止部前，对该切割沟槽进行一蚀刻以降低该切割沟槽的一底表面；

其中该切割沟槽的该底表面在该蚀刻时被进一步凹蚀以形成该停止部，使得该切割沟槽比该第一沟槽深。

4.如权利要求3所述的制造微机电系统封装体的方法，其中对该切割沟槽的该蚀刻是以覆盖在该第一沟槽上的一光致抗蚀剂掩模层进行。

5.如权利要求1所述的制造微机电系统封装体的方法，其中形成及图案化该硬掩模露出该切割沟槽。

6.如权利要求1所述的制造微机电系统封装体的方法，还包括：

对该盖基板的一背侧进行一研磨工艺，以使得该切割沟槽被打开。

7.如权利要求6所述的制造微机电系统封装体的方法，还包括：

沿着被打开的该切割沟槽进行一单粒化工艺，使得该微机电系统封装体被分割为分离的管芯。

8.如权利要求1所述的制造微机电系统封装体的方法，

其中在该盖基板上的一边界区定义一晶片边缘区；

其中在该晶片边缘区形成一边缘沟槽，该边缘沟槽具有与该切割沟槽相同的深度。

9.如权利要求8所述的制造微机电系统封装体的方法，其中该边缘沟槽还包括一突起，该突起具有与该停止部相同的深度。

10.一种制造微机电系统封装体的方法，包括：

准备一盖基板，该盖基板上定义有一第一装置区、一第二装置区及一切割道区；

在该盖基板的一前侧，在该第一装置区中形成一第一沟槽，在该第二装置区中形成一第二沟槽，以及在该切割道区中形成一切割沟槽，其中该第一沟槽、该第二沟槽及该切割沟槽具有相同的深度；

在该盖基板上形成及图案化一硬掩模，其中该硬掩模具有在该切割沟槽中的一第一厚度及该第一沟槽的一第一部分，以及具有在该第二沟槽中比该第一厚度小的一第二厚度及该第一沟槽的一第二部分；

从该切割沟槽去除该硬掩模，以及对该切割沟槽进行一蚀刻以降低该切割沟槽的一底表面；以及

从该第二沟槽去除该硬掩模及对该切割沟槽及该第二沟槽进行一蚀刻以降低该切割沟槽及该第二沟槽的底表面，以在该切割沟槽中产生比该第二沟槽深的较大深度，且该第二沟槽比该第一沟槽深。

11.如权利要求10所述的制造微机电系统封装体的方法，还包括：

对该硬掩模进行一毯覆式蚀刻，以从该第一沟槽的该第二部分去除该硬掩模；以及

对该第一沟槽进行一蚀刻，使该第一沟槽的该第二部分被凹蚀，而该第一沟槽的该第一部分未变化以在该第一沟槽中形成一停止部。