[发明专利]阵列基板及其制备方法、显示装置有效
申请号: | 201810524721.0 | 申请日: | 2018-05-28 |
公开(公告)号: | CN108520884B | 公开(公告)日: | 2020-09-04 |
发明(设计)人: | 杨昆 | 申请(专利权)人: | 武汉华星光电技术有限公司 |
主分类号: | H01L27/12 | 分类号: | H01L27/12;H01L21/77;G06F3/041 |
代理公司: | 深圳市威世博知识产权代理事务所(普通合伙) 44280 | 代理人: | 钟子敏 |
地址: | 430070 湖北省武汉市*** | 国省代码: | 湖北;42 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 阵列 及其 制备 方法 显示装置 | ||
本申请公开了一种阵列基板及其制备方法、显示装置,该阵列基板包括衬底基板;多膜层结构,形成于衬底基板上,多膜层结构至少包括层间绝缘层,层间绝缘层上设置有开孔,用以释放膜层间的应力;触控信号线层,形成于多膜层结构上。通过上述方式,本申请能够实现有效释放阵列基板上各膜层间的应力,防止切裂制程中导致框胶处覆盖的膜层发生断裂的问题。
技术领域
本申请涉及显示技术领域,特别是涉及一种阵列基板及其制备方法、显示装置。
背景技术
具有高像素密度(PPI,Pixels Per Inch)的内嵌式触控面板,其触控TP trace一般采用独立层进行设计,以实现TP信号的传输。随着面板设计朝着超窄边框方向发展,对框胶宽度和cell切割技术有更高的要求。
在阵列基板的制作过程中,不同膜层沉积方式存在“张应力”或者“拉应力”,以绝缘层为例来说,一般采用氮化硅(SiNx)或氧化硅(SiOx),其中,氮化硅膜层一般呈现“拉应力”,氧化硅膜层一般呈现“张应力”,且不贴膜层间的搭配容易导致阵列基板内部膜层应力不均的问题。
因阵列基板内部膜层存在应力不均的问题,在其成盒制程的框胶固化过程,容易加剧阵列基板膜层的应力不均。且对于窄边框的切割(cut on seal)技术,其裂片制程易导致框胶覆盖处膜层发生断裂。面板端子侧框胶边缘的膜层断裂易导致触控走线的断裂,导致触控功能的失效。
发明内容
本申请提供一种阵列基板及其制备方法、显示装置,能够实现有效释放阵列基板上各膜层间的应力,防止切裂制程中导致框胶处覆盖的膜层发生断裂的问题。
为解决上述技术问题,本申请采用的一个技术方案是:提供一种阵列基板,所述阵列基板包括:衬底基板;多膜层结构,形成于所述衬底基板上,所述多膜层结构至少包括层间绝缘层,所述层间绝缘层上设置有开孔,用以释放膜层间的应力;触控信号线层,形成于所述多膜层结构上。
为解决上述技术问题,本申请采用的另一个技术方案是:提供一种阵列基板的制备方法,所述制备方法包括:在衬底基板上制备多膜层结构,其中,所述多膜层结构至少包括层间绝缘层,所述层间绝缘层上设置有开孔,用以释放膜层间的应力;在所述多膜层结构上形成触控信号线层。
为解决上述技术问题,本申请采用的又一个技术方案是:提供一种显示装置,所述显示装置包括上述任一所述的阵列基板。
本申请的有益效果是:提供一种阵列基板及其制备方法、显示装置,通过在层间绝缘层上设置开孔,能够实现有效释放阵列基板上各膜层间的应力,防止切裂制程中导致框胶处覆盖的膜层发生断裂的问题。
附图说明
图1是本申请阵列基板第一实施方式的结构示意图;
图2是本申请层间绝缘层上开孔第一实施方式的示意图;
图3是本申请层间绝缘层上开孔第二实施方式的示意图;
图4是本申请阵列基板制备方法一实施方式的流程示意图;
图5是本申请显示装置一实施方式的结构示意图。
具体实施方式
下面将结合本申请实施例中的附图,对本申请实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述,显然,所描述的实施例仅是本申请的一部分实施例,而不是全部的实施例。基于本申请中的实施例,本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例,都属于本申请保护的范围。
请参阅图1,图1是本申请阵列基板第一实施方式的结构示意图,如图1,本申请提供的阵列基板10包括衬底基板11、多膜层结构12以及触控信号线层13。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的