[发明专利]一种半导体激光器的供电装置及恒流源

权利要求书

1.一种半导体激光器的供电装置，其特征在于，所述供电装置至少包括：

采集卡，用于产生输入信号；

第一电源，所述第一电源的输入端与所述采集卡连接，所述第一电源的输出端与半导体激光器连接；

第二电源，所述第二电源与所述第一电源连接，用于为所述第一电源提供工作电压；

第三电源，所述第三电源与所述半导体激光器连接，用于为所述半导体激光器连接提供工作电压；

其中，所述第一电源为恒流源，所述第一电源包括运算放大器、负反馈电路、晶体管、二极管和第一电阻，所述运算放大器的第一输入端与所述采集卡连接，所述运算放大器的第二输入端与所述运算放大器的输出端通过所述负反馈电路连接；所述晶体管的第一端与所述运算放大器的输出端连接，所述晶体管的第二端与所述半导体激光器连接，所述晶体管的第三端通过所述第一电阻接地，所述二极管的一端连接所述晶体管的第一端，所述二极管的另一端接地。

2.根据权利要求1所述的半导体激光器的供电装置，其特征在于，

所述采集卡的一端与所述运算放大器的第一输入端通过分压电路连接，所述采集卡的另一端与计算机连接。

3.根据权利要求2所述的半导体激光器的供电装置，其特征在于，

所述采集卡提供的所述输入信号由所述计算机通过所述采集卡输出，再经过所述分压电路，将电压信号输入所述第一电源。

4.根据权利要求1所述的半导体激光器的供电装置，其特征在于，

所述半导体激光器的负端与所述晶体管的第二端连接，所述半导体激光器的正端连接所述第三电源。

5.根据权利要求1所述的半导体激光器的供电装置，其特征在于，

所述二极管为瞬态抑制二极管，以防止浪涌电流损坏所述晶体管。

6.根据权利要求1所述的半导体激光器的供电装置，其特征在于，

所述负反馈电路包括第一电容，所述运算放大器输出端与所述晶体管的第一端通过第二电阻连接，所述晶体管的第三端与所述运算放大器的第二输入端通过第三电阻连接，所述第二电源通过第二电容接地。

7.根据权利要求1所述的半导体激光器的供电装置，其特征在于，

所述运算放大器输出端与所述第一电容耦接于所述第二电阻的一端，所述晶体管的第一端与所述二极管的一端耦接于所述第二电阻的另一端。

8.根据权利要求1所述的半导体激光器的供电装置，其特征在于，

所述运算放大器的第一输入端与所述运算放大器的第二输入端的输入电压相同，所述晶体管第二端输出的电流与所述运算放大器的第一端输入的电压成正比。

9.一种恒流源，其特征在于，所述恒流源用于所述半导体激光器的供电装置，所述恒流源包括运算放大器、负反馈电路、晶体管、二极管和第一电阻，所述运算放大器的第一输入端与采集卡连接，所述采集卡用于产生输入信号，所述运算放大器的第二输入端与所述运算放大器的输出端通过所述负反馈电路连接；所述晶体管的第一端与所述运算放大器的输出端连接，所述晶体管的第二端与半导体激光器连接，所述晶体管的第三端通过所述第一电阻接地，所述二极管的一端连接所述晶体管的第一端，所述二极管的另一端接地。

10.根据权利要求9所述的恒流源，其特征在于，

所述负反馈电路包括第一电容，所述运算放大器输出端与所述第一电容耦接于第二电阻的一端，所述晶体管的第一端与所述二极管的一端耦接于所述第二电阻的另一端，所述晶体管的第三端与所述运算放大器的第二输入端通过第三电阻连接，所述第二电压通过第二电容接地。