[发明专利]一种低成本的MWT太阳能电池负极的制备方法有效
申请号: | 201810526888.0 | 申请日: | 2018-05-29 |
公开(公告)号: | CN108878579B | 公开(公告)日: | 2020-07-31 |
发明(设计)人: | 李质磊;吴仕梁;路忠林;盛雯婷;张凤鸣 | 申请(专利权)人: | 江苏日托光伏科技股份有限公司 |
主分类号: | H01L31/18 | 分类号: | H01L31/18;H01L31/0224 |
代理公司: | 南京苏高专利商标事务所(普通合伙) 32204 | 代理人: | 李玉平 |
地址: | 214028 江*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 低成本 mwt 太阳能电池 负极 制备 方法 | ||
本发明公开了一种低成本的MWT太阳能电池负极的制备方法,在背面电极制备过程中,采用MWT填孔银浆,使用网版印刷制备负极,将负极分为堵孔区和外围区(即焊接区)两部分,外围区的网版采用镂空设计。浆料通过流动,在保证负极区填孔效果不变的情况下,达到降低整体负极区浆料耗量以降低成本的目的。
技术领域
本发明涉及一种低成本的MWT太阳能电池负极的制备方法,属于MWT太阳能电池组件加工技术领域。
背景技术
目前,晶体硅太阳能技术包括异质结太阳能电池(HIT),背电极接触硅太阳能电池(IBC),发射极环绕穿通硅太阳能电池(EWT),激光刻槽埋栅电池,倾斜蒸发金属接触硅太阳能电池(OECO)及金属穿孔卷绕硅太阳能电池(MWT)等,其中MWT电池因其效率高,遮光面积小以及更好的外观特点受到越来越多的关注。
MWT晶硅太阳能电池是通过激光钻孔将受光面收集的能量穿过电池转移至电池背光面的电极,以减少受光面的遮光面积来达到提高转换效率的目的。
如图1所示,现有技术在制备MWT太阳能电池背光面电极时,如申请号CN201410016190.6和专利CN201410844698.5均沿用传统常规电池电极的制备方法,即采用特殊银或银铝浆料、丝网印刷的方式,一次印刷制备背光面的正、负极(分别为图1中的标号3、标号2)。其中,负极区(图1-2)为激光打孔区,连接受光面的正面电极栅线。采用此方法在制备负极时,由于要兼顾堵住电池片的电极孔和组件焊接的有效焊接面积,除了所用浆料、网版规格和浆料用量等均有特殊要求外,负极区的大小和形状的设计需要满足一定要求。由此,造成负极区的非必要的浆料成本上升。
目前,已有技术(专利申请号2017114454605)通过二次印刷的方式,分别印刷制备正极+负极区外围焊接部分和负极堵孔部分,由此通过降低正极区和负极区的银浆固含量和耗量的方式,达到降低成本的目的。但此技术需要增加额外的设备投入,不利于常规产线的推广。
发明内容
发明目的:针对现有技术中存在的问题与不足,本发明提供一种低成本的MWT太阳能电池负极的制备方法,采用银或银铝浆料、丝网印刷的方式,一次同时制备MWT电池的正、负极。将传统负极区的外围(焊接)区设计为不同规格的镂空,保持负极区的内部堵孔区不变。通过控制负极外围区尺寸和镂空设计,在保证负极区填孔效果不变的情况下,达到降低负极区浆料耗量以降低成本的目的。
技术方案:一种低成本的MWT太阳能电池负极的制备方法,在背面电极制备过程中,采用MWT填孔银浆,使用网版印刷制备负极,将负极分为堵孔区和外围区(即焊接区)两部分,外围区对应的网版采用均匀排布的镂空设计。浆料通过流动,在保证负极区填孔效果不变的情况下,达到降低整体负极区浆料耗量以降低成本的目的。
所述网版镂空设计的方法:网版制作过程中,镂空为不需要透过浆料的区域,在网版上涂覆与镂空形状和尺寸一致的高分子乳剂,采用丝网印刷制备负极时,镂空部分虽然没有透过浆料,但是印刷在电池上的浆料通过流动保证负极外围区整体图形不变和堵孔区的堵孔效果不变。
所述外围区尺寸可根据需求调整。
所述负极区为直径为2.0mm的圆,与负极同心圆且直径为1.5mm的圆形区域为堵孔区,与负极同心圆且直径为1.5-2.0mm的环形区域为外围区;所述外围区对应的网版设有直径为0.1mm、数量为10-100个呈两排均匀排布的不透过浆料的圆形镂空。
所述负极区为直径为2.0mm的圆,其中与负极同心圆且直径为1.3mm的圆形区域为堵孔区,与负极同心圆且直径为1.3-2.0mm的环形区域为外围区;外围区对应的网版设有直径为0.1mm、数量为10-100个呈三排均匀排布的不透过浆料的圆形镂空。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的