[发明专利]柔性有源彩色半导体发光显示模块及柔性显示屏有效
申请号: | 201810527213.8 | 申请日: | 2018-05-26 |
公开(公告)号: | CN108615740B | 公开(公告)日: | 2020-11-10 |
发明(设计)人: | 潘小和 | 申请(专利权)人: | 矽照光电(厦门)有限公司 |
主分类号: | H01L27/15 | 分类号: | H01L27/15;H01L21/77 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 361000 福建省厦门市厦门*** | 国省代码: | 福建;35 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 柔性 有源 彩色 半导体 发光 显示 模块 显示屏 | ||
本发明公开了一种柔性有源彩色半导体发光显示模块及柔性显示屏;其中柔性有源彩色半导体发光显示模块包括:柔性有源矩阵显示控制电路衬底;短波长III‑V族半导体发光器件阵列中间层;以及与短波长III‑V族半导体发光器件阵列相对应的且分别光致发出蓝光、绿光和红光的薄膜矩阵阵列顶层;其中,所述短波长III‑V族半导体发光器件阵列中间层粘合设置在所述柔性有源矩阵显示控制电路衬底上,所述薄膜矩阵阵列顶层刻蚀于部分所述短波长III‑V族半导体发光器件阵列中间层上。本发明能够生产制造柔性有源彩色半导体发光显示模块,并由此生产柔性显示屏,具有工艺简单、结构稳定、成率较高等优点。
技术领域
本发明涉及柔性显示屏,尤其涉及的是,一种柔性有源彩色半导体发光显示模块及柔性显示屏。
背景技术
量子点(Quantum dot,QD)技术正在迅速得到开发,量子点又称半导体纳米晶,是一种纳米级别的半导体,呈近似球形,其三维尺寸在2-10nm范围内,具有明显的量子效应;通过对这种纳米半导体材料施加一定的电场或光压,它们便会发出特定频率的光,而发出的光的频率会随着这种半导体的尺寸的改变而变化,因而通过调节这种纳米半导体的尺寸就可以控制其发出的光的颜色,由于这种纳米半导体拥有限制电子和电子空穴(Electronhole)的特性,这一特性类似于自然界中的原子或分子,因而被称为量子点。量子点是一种重要的低维半导体材料,其三个维度上的尺寸都不大于其对应的半导体材料的激子玻尔半径的两倍。
量子点一般由II-VI族元素或III-V族元素等半导体材料构成,其中,II-VI族元素如CdS、CdSe、CdTe、ZnSe、ZnS等,而III-V族元素如InP、InAs等无镉量子点;也可由两种或两种以上的半导体材料构成核/壳结构,如常见的CdSe/ZnS核/壳结构量子点等。量子点的荧光寿命可持续10-100纳秒,通过时间分辨特性,可降低背景干扰,提高灵敏度。
随着技术的发展,LED彩色显示屏已经在许许多多的产品上具有各种应用,例如背光、手机、随身移动装置以及超大型显示屏等。但是如何设计柔性LED显示结构,仍是未完善的技术。
发明内容
本发明提供一种新的柔性有源彩色半导体发光显示模块及柔性显示屏。
本发明的技术方案如下:一种柔性有源彩色半导体发光显示模块,其包括:
柔性有源矩阵显示控制电路衬底;
短波长III-V族半导体发光器件阵列中间层;以及
与短波长III-V族半导体发光器件阵列相对应的且分别光致发出蓝光、绿光和红光的薄膜矩阵阵列顶层;
其中,所述短波长III-V族半导体发光器件阵列中间层粘合设置在所述柔性有源矩阵显示控制电路衬底上,所述薄膜矩阵阵列顶层刻蚀于部分所述短波长III-V族半导体发光器件阵列中间层上。
优选的,所述柔性有源彩色半导体发光显示模块厚度小于300微米。
优选的,所述短波长III-V族半导体发光器件所发出的光波长小于500纳米,如蓝光、紫光、紫外光或深紫外光等波长光。
优选的,所述设置在每一所述短波长III-V族半导体发光器件阵列中间层上的光致发光红、绿、蓝3基色薄膜矩阵的各自发光面积与各自显示面积的比例均大于50%。
优选的,所述设置在每一所述短波长III-V族半导体发光器件阵列中间层上的光致发光红、绿、蓝3基色薄膜矩阵的间隔小于10微米。
优选的,所述设置在每一所述短波长III-V族半导体发光器件阵列中间层上的光致发光红、绿、蓝3基色薄膜矩阵的边长小于100微米。
优选的,所述设置在每一所述短波长III-V族半导体发光器件阵列中间层上的光致发光红,绿,蓝3基色薄膜矩阵的光电反应速度小于100微秒。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的