[发明专利]多孔硅荧光生物传感器的检测方法

权利要求书

1.一种多孔硅荧光生物传感器的检测方法，其特征在于，其包括：

将目标DNA修饰P型单晶硅，将CdSe/ZnS量子点标记的探针DNA与所述的目标DNA发生杂交反应，得到多孔硅荧光生物传感器；

通过激发光源，激发设定浓度的目标DNA的多孔硅荧光生物传感器产生荧光，由数字显微镜获得荧光图像，通过荧光图像的灰度值和所述的目标DNA浓度的关系拟合标准曲线；

测量待测样品的多孔硅荧光生物传感器的荧光图像的灰度值，根据标准曲线计算待测样品的目标DNA浓度。

2.根据权利要求1所述的多孔硅荧光生物传感器的检测方法，其特征在于，所述的多孔硅荧光生物传感器的制备方法包括：

将P型单晶硅表面制成多孔硅布拉格反射镜，连接目标DNA，得到多孔硅样品；

对CdSe/ZnS量子点进行活化，与氨基修饰的探针DNA偶联，得到量子点探针；

将所述的量子点探针渗透到所述的多孔硅样品，得到多孔硅荧光生物传感器。

3.根据权利要求2所述的多孔硅荧光生物传感器的检测方法，其特征在于，所述的多孔硅布拉格反射镜通过第一电流层和第二电流层交替堆叠而成；

所述的第一电流层和第二电流层的光学厚度满足公式(1)：

n₁d₁＝n₂d₂＝λ/4 (1)

其中，n₁和d₁分别为第一电流层的折射率和厚度；

n₂和d₂分别为第一电流层的折射率和厚度；

λ为多孔硅布拉格反射镜的中心波长；

且第一电流层的折射率大于第二电流层的折射率。

4.根据权利要求3所述的多孔硅荧光生物传感器的检测方法，其特征在于，所述的多孔硅布拉格反射镜的中心波长为600-620nm。

5.根据权利要求2所述的多孔硅荧光生物传感器的检测方法，其特征在于，所述的多孔硅布拉格反射镜通过电化学腐蚀法制备而得；

电化学腐蚀法的电解腐蚀液，以体积百分比计，其包括：

氢氟酸：40-60％

乙醇：40-60％。

6.根据权利要求2所述的多孔硅荧光生物传感器的检测方法，其特征在于，所述的多孔硅布拉格反射镜的多孔硅区域为圆形，直径为0.5-1cm。

7.根据权利要求1所述的多孔硅荧光生物传感器的检测方法，其特征在于，所述的P型单晶硅的晶向为<100>，电阻率为0.01-0.06Ω·cm，厚度为300-500μm。

8.根据权利要求1所述的多孔硅荧光生物传感器的检测方法，其特征在于，所述的激发光源为氩离子激光器，所述的氩离子激光器的波长为460-500nm。

9.根据权利要求1所述的多孔硅荧光生物传感器的检测方法，其特征在于，所述的标准曲线为：

其中，x为多孔硅荧光生物传感器的目标DNA浓度，单位为nmol/L；

y为多孔硅荧光生物传感器产生荧光图像的平均灰度值。