[发明专利]一种碳化硼/碳化硅复相陶瓷及其制备方法

权利要求书

1.一种碳化硼/碳化硅复相陶瓷，其特征在于：以制备所述复相陶瓷的原料总质量为100％计，所述原料的组成以及各组成的质量百分数如下：碳化硼粉56％～90％，碳化硅粉5％～30％，碳粉0.5％～5％，氧化铝粉0～5％，硼化锆粉0～5％以及稀土氧化物2％～5％；

稀土氧化物为CeO₂。

2.根据权利要求1所述的一种碳化硼/碳化硅复相陶瓷，其特征在于：所述碳化硼粉的颗粒度为(0.5～1.0)μm，纯度≥96％。

3.根据权利要求1所述的一种碳化硼/碳化硅复相陶瓷，其特征在于：所述碳化硅粉的颗粒度为(0.3～0.8)μm，纯度≥96％。

4.一种如权利要求1～3任一项所述的碳化硼/碳化硅复相陶瓷的制备方法，其特征在于：所述方法步骤如下，

混料球磨：将原料中的各成分以及去离子水加入到球磨罐中，混合均匀得到浆料；

喷雾造粒：先将浆料与聚乙烯醇水溶液混合均匀，再喷入造粒塔内进行造粒，得到颗粒尺寸为20μm～200μm的造粒粉；

干压成型：将造粒粉置于模具内，在150MPa～200MPa的压力下保压0.5min～5min，脱模，得到生坯；

无压烧结：将生坯放入无压烧结炉中，在真空条件或者氩气气氛保护下进行烧结；其中，先以5℃/min～10℃/min的速度升温到500℃～900℃，保温15min～60min，再以5℃/min～15℃/min的速度继续升温到1500℃～1900℃，随后再以5℃/min～20℃/min的速度继续升温至2050℃～2250℃，保温30min～120min，然后先以5℃/min～15℃/min的速度降温至1900℃～1500℃，再自然冷却或者快速冷却，得到碳化硼/碳化硅复相陶瓷。

5.根据权利要求4所述的一种碳化硼/碳化硅复相陶瓷的制备方法，其特征在于：混料球磨过程中，在200r/min～600r/min转速下球磨4h～12h，得到浆料；其中，每100g原料中加入200mL～400mL去离子水。

6.根据权利要求4所述的一种碳化硼/碳化硅复相陶瓷的制备方法，其特征在于：喷雾造粒过程中，进风温度150℃～180℃，出风温度80℃～130℃，喷雾压力0.05MPa～0.5MPa，聚乙烯醇水溶液的质量分数为1％～5％。