[发明专利]一种计算机系统

权利要求书

1.一种计算机系统，其特征在于，包括：信息采集单元、信号放大电路及中央处理器，所述信息采集单元的输出端连接于所述信号放大电路的输入端，所述信号放大电路的输出端连接于所述中央处理器的输入端，所述信号放大电路用于将所述信息采集单元的输出电信号进行放大后传输至所述中央处理器进行分析处理；其中，所述信号放大电路包括：

晶体管，所述晶体管采用自偏置形式使其工作在导通状态实现对信号采集设备采集的信号进行放大；所述晶体管包括： 第一导电类型的衬底； 形成在所述衬底第一表面上的第二导电类型的第一外延层； 形成在所述第一外延层上表面的第二外延层，所述第二外延层包括氧化区以及发射区，所述发射区位于所述氧化区与所述第一外延层之间且与所述氧化区共同覆盖所述第一外延层的上表面；形成在所述第二外延层两侧且一端贯穿所述第二外延层以及所述第一外延层延伸进入所述衬底的隔离区； 发射极、基极以及集电极；

所述发射极形成在所述氧化区上方且延伸进入所述氧化区与所述发射区电连接；所述基极形成在所述氧化区上方且贯穿所述氧化区与所述第一外延层电连接；以及集电极形成于所述衬底与所述第一表面相对的第二表面且与所述衬底电连接；

所述晶体管的制造方法包括： 形成第一导电类型的衬底； 在所述衬底的第一表面向上依次形成第二导电类型的第一外延层及第一导电类型的第二外延层； 在所述第二外延层两侧形成隔离区，所述隔离区依次贯穿所述第二外延层及所述第一外延层延伸进入所述衬底； 对所述第二外延层的局部进行非晶化处理以在所述第二外延层内形成非晶区及晶体区，所述非晶区贯穿所述第二外延层与所述第一外延层连接； 在所述晶体区内形成发射区以及在所述非晶区及所述晶体区内形成氧化区； 形成发射极、基极及集电极。

2.根据权利要求1所述的计算机系统，其特征在于，所述衬底包括远离所述第一外延层的集电极接触区，以及位于所述集电极接触区与所述第一外延层之间的集电区。

3.根据权利要求1所述的计算机系统，其特征在于，在所述晶体区内形成发射区以及在所述非晶区及所述晶体区内形成氧化区的步骤包括：在所述第二外延层的上表面做氧化工艺，同时对所述非晶区及晶体区进行氧化，直到所述非晶区被全部氧化，此时，所述晶体区部分被氧化，其中，未被氧化的区域为所述发射区，已被氧化的区域以及生长的氧化层为所述氧化区。

4.根据权利要求3所述的计算机系统，其特征在于，所述氧化工艺为低温氧化工艺，所述低温氧化工艺的温度范围在500℃-800℃之间。

5.根据权利要求1所述的计算机系统，其特征在于，所述隔离区的形成步骤包括：

在第二外延层的两侧形成依次贯穿所述第二外延层、所述第一外延层延伸进入所述衬底的隔离区；在所述隔离区内填充氧化物。

6.根据权利要求3所述的计算机系统，其特征在于，对所述第二外延层的局部进行非晶化处理的步骤包括： 在所述第二外延层的上表面形成掩膜，以在未被掩膜覆盖的所述第二外延层表面形成至少一个注入窗口； 通过所述至少一个注入窗口对所述第二外延层进行非晶化离子注入。

7.根据权利要求6所述的计算机系统，其特征在于，在对所述第二外延层的上表面做氧化工艺的步骤之前，将所述掩膜去除。

8.根据权利要求3所述的计算机系统，其特征在于，在将所述非晶区全部氧化之后，在形成发射极、基极及集电极之前，对形成的所述氧化区表面进行平坦化操作。