[发明专利]半导体器件

权利要求书

1.一种半导体器件，包括：

衬底，包括单元区域和周边区域；以及

在衬底上的底部电极，

所述底部电极布置在均在第一方向上延伸的第一行和第二行中，

所述第一行和所述第二行在垂直于所述第一方向的第二方向上彼此相邻，

所述第一行中的底部电极包括在所述第一方向上分开第一距离的最外面的底部电极和次最外面的底部电极，

所述第二行中的底部电极包括在所述第一方向上分开第二距离的最外面的底部电极和次最外面的底部电极，

所述第一行中的最外面的底部电极位于所述衬底的周边区域上，并且

所述第二行中的最外面的底部电极位于所述衬底的单元区域上。

2.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述第一行中的底部电极和所述第二行中的底部电极在所述第一方向上以Z字形式布置。

3.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，

所述第一行中的底部电极在所述第一方向上布置成彼此相距第三距离，

所述第二行中的底部电极在所述第一方向上布置成彼此相距所述第二距离，

所述第二距离基本上等于所述第三距离。

4.根据权利要求3所述的半导体器件，其中，

所述第一距离基本上等于所述第三距离，并且

所述第一距离基本上等于所述第二距离。

5.根据权利要求1所述的半导体器件，还包括：

所述衬底与所述底部电极之间的层间绝缘层；

所述层间绝缘层中的连接盘；以及

所述层间绝缘层中的连接挡板，其中，

在平面图中，所述连接挡板围绕所述连接盘。

6.根据权利要求5所述的半导体器件，其中，在平面图中，所述第一行中的最外面的底部电极与所述连接挡板交叠。

7.根据权利要求6所述的半导体器件，其中，所述第一行中的最外面的底部电极接触所述连接挡板。

8.根据权利要求5所述的半导体器件，其中，在平面图中，所述第一行中的次最外面的底部电极和所述第二行中的最外面的底部电极分别与所述连接盘交叠。

9.根据权利要求5所述的半导体器件，其中，在平面图中，所述第一行中的次最外面的底部电极与所述连接挡板之间的最短距离小于所述第二行中的最外面的底部电极与所述连接挡板之间的最短距离。

10.根据权利要求1所述的半导体器件，还包括：

覆盖所述底部电极的顶部电极；以及

所述顶部电极与所述底部电极之间的介电层。

11.一种半导体器件，包括：

衬底，包括单元区域和周边区域；

所述衬底上的层间绝缘层；

位于所述层间绝缘层中并在所述衬底的所述单元区域上的连接盘；

位于所述层间绝缘层中并在所述衬底的所述周边区域上的连接挡板，在平面图中，所述连接挡板围绕所述连接盘；以及

所述层间绝缘层上的底部电极，

所述底部电极在第一方向上布置且相邻底部电极在所述第一方向上的距离基本相同，

所述底部电极包括第一底部电极和第二底部电极，

其中，在平面图中，所述第一底部电极分别与所述连接盘交叠，并且所述第二底部电极与所述连接挡板交叠。

12.根据权利要求11所述的半导体器件，其中，

所述第一底部电极分别接触所述连接盘，并且

所述第二底部电极接触所述连接挡板。

13.根据权利要求11所述的半导体器件，其中，所述第二底部电极位于所述底部电极当中的所述第一方向上的最外面位置处。