[发明专利]有源阵列、有源阵列的制造方法和随机存储器

权利要求书

1.一种有源阵列的制造方法，其特征在于，包括：

提供一半导体衬底，所述半导体衬底上间隔设置有光刻胶；

形成第一阻挡层在所述半导体衬底和所述光刻胶上；

形成牺牲层在所述第一阻挡层上，其中，相邻两个所述光刻胶之间的所述牺牲层形成凹槽；

形成第二阻挡层在所述牺牲层上，以填充所述凹槽；

沿所述第二阻挡层上表面向下去除所述第二阻挡层，以露出所述牺牲层的上表面，其中，所述凹槽中的所述第二阻挡层形成遮挡部；

以所述遮挡部作为掩膜从所述牺牲层的上表面向下刻蚀所述牺牲层和所述第一阻挡层，直至显露所述光刻胶的上表面，所述第一阻挡层具有贴附于所述光刻胶的侧面的掩膜部以及位于所述牺牲层和所述半导体衬底之间的保护部，所述掩膜部的纵向厚度大于所述保护部的纵向厚度；

移除所述光刻胶，并沿所述牺牲层的显露部分向下刻蚀所述牺牲层，直至显露所述第一阻挡层的所述保护部，以及继续刻蚀显露的所述第一阻挡层的所述保护部，直至显露所述半导体衬底，以在所述半导体衬底上形成由所述第一阻挡层的所述掩膜部以及包括所述第二阻挡层的所述遮挡部所构成的多个阻挡结构；以及

形成用于构建所述有源阵列的间距单元，包括以所述阻挡结构作为掩膜刻蚀所述半导体衬底，以形成隔离间隙；移除所述阻挡结构形成有源区单元；其中，一个所述有源区单元及其相邻的一个所述隔离间隙构成一个间距单元。

2.根据权利要求1所述的制造方法，其特征在于，相邻所述光刻胶之间的曝光显影的最小尺寸为所述间距单元尺寸的奇数倍。

3.根据权利要求2所述的制造方法，其特征在于，所述光刻胶包括第一侧面和相对于所述第一侧面的第二侧面，且相邻两个光刻胶的第一侧面之间的距离为曝光显影的最小尺寸，其中，所述半导体衬底与所述曝光显影的最小尺寸的对应位置上包括三个所述间距单元。

4.根据权利要求2所述的制造方法，其特征在于，所述间距单元的尺寸包括30nm。

5.根据权利要求3所述的制造方法，其特征在于，所述牺牲层的厚度的1/2大于等于所述第一阻挡层的厚度，所述牺牲层在所述第一侧面处的横向厚度和所述第一阻挡层在所述第一侧面处的横向厚度之和小于相邻所述光刻胶之间间距的1/2。

6.根据权利要求3所述的制造方法，其特征在于，调节所述光刻胶的尺寸、以及所述第一阻挡层和所述牺牲层在所述光刻胶的所述第一侧面和所述第二侧面的厚度，以调节所述有源区单元的宽度和所述隔离间隙的尺寸。

7.根据权利要求1所述的制造方法，其特征在于，所述第一阻挡层和所述第二阻挡层均包括氮化硅，以及所述牺牲层包括氧化硅。

8.根据权利要求1所述的制造方法，其特征在于，包括所述第二阻挡层的所述遮挡部的多个阻挡结构还包括在所述遮挡部下方的所述牺牲层和所述第一阻挡层，以组成掩膜堆叠层。

9.一种有源阵列，其特征在于，包括：

半导体基板；以及

根据权利要求1至8中任一项所述的制造方法形成于所述半导体基板中的多个有源区单元和在相邻的所述有源区单元之间的隔离间隙；

其中，光刻胶的曝光显影尺寸的最小特征尺寸为所述间距单元的特征尺寸的奇数倍。

10.如权利要求9所述的有源阵列，其特征在于，所述间距单元的特征尺寸包括30nm。

11.一种随机存储器，其特征在于，包括：

如权利要求9所述的有源阵列；

多个器件单元，形成于所述有源区单元上；以及

浅槽隔离结构，通过将隔离材料填充于所述隔离间隙，并形成于所述半导体衬底中。