[发明专利]一种兴趣点推荐方法、系统、设备及计算机可读存储介质有效
申请号: | 201810529606.2 | 申请日: | 2018-05-29 |
公开(公告)号: | CN108829766B | 公开(公告)日: | 2021-09-21 |
发明(设计)人: | 赵朋朋;周晓方;许佳捷;崔志明 | 申请(专利权)人: | 苏州大学 |
主分类号: | G06F16/9537 | 分类号: | G06F16/9537;G06N3/04;G06Q50/00 |
代理公司: | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人: | 罗满 |
地址: | 215137 *** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 兴趣 推荐 方法 系统 设备 计算机 可读 存储 介质 | ||
1.一种兴趣点推荐方法,其特征在于,包括:
获取一组兴趣点签到的时间信息及位置信息;
输入所述时间信息及所述位置信息至预先训练的LSTM模型;
获取所述LSTM模型输出的每一个所述兴趣点的运算结果;
基于所述运算结果确定目标兴趣点;
其中,所述LSTM模型的记忆单元、输出门、隐藏状态均接受时间门和距离门的控制,所述时间门表示每相邻两个签到的所述兴趣点间的时间间隔,所述距离门表示每相邻两个签到的所述兴趣点间的距离间隔;
其中,预先训练的所述LSTM模型的更新方程包括:
it=σ(Wi[ht-1,xt]+bi);
ft=σ(Wf[ht-1,xt]+bf);
T1t=σ(xtWxt1+σ(ΔttWt1)+bt1),s.t.Wxt1≤0;
T2t=σ(xtWxt2+σ(ΔttWt2)+bt2);
D1t=σ(xtWxd1+σ(ΔdtWd1)+bd1),s.t.Wxd1≤0;
D2t=σ(xtWxd2+σ(ΔdtWd2)+bd2);
ot=σ(Wo[ht-1,xt]+ΔttWto+ΔdtWdo+bo);
其中,it表示第t时刻的输入门;W表示相应的权重;h表示所述隐藏状态;xt表示所述时间信息及所述位置信息;b表示相应的偏置;σ表示将值映射至(0,1)间的sigmoid层,1表示完全保留,0表示完全忘记;ft表示第t时刻的遗忘门;表示所述记忆单元中短期记忆单元的状态;ct表示所述记忆单元中长期记忆单元的状态;T1t表示第一个时间门,用于控制短期兴趣的时间间隔影响;T2t表示第二个时间门,用于控制长期兴趣的时间间隔影响;D1t表示第一个距离门,用于控制短期兴趣的距离间隔影响;D2t表示第二个距离门,用于控制长期兴趣的距离间隔影响;Δt表示相邻两个签到的所述兴趣点间的时间间隔;Δd表示相邻两个签到的所述兴趣点间的距离间隔;ot表示所述输出门;
或,预先训练的所述LSTM模型的更新方程包括:
it=σ(Wi[ht-1,xt]+bi);
T1t=σ(xtWxt1+σ(ΔttWt1)+bt1),s.t.Wxt1≤0;
T2t=σ(xtWxt2+σ(ΔttWt2)+bt2);
D1t=σ(xtWxd1+σ(ΔdtWd1)+bd1),s.t.Wxd1≤0;
D2t=σ(xtWxd2+σ(ΔdtWd2)+bd2);
ot=σ(Wo[ht-1,xt]+ΔttWto+ΔdtWdo+bo);
其中,it表示第t时刻的输入门;W表示相应的权重;h表示所述隐藏状态;xt表示所述时间信息及所述位置信息;b表示相应的偏置;σ表示将值映射至(0,1)间的sigmoid层,1表示完全保留,0表示完全忘记;表示所述记忆单元中短期记忆单元的状态;ct表示所述记忆单元中长期记忆单元的状态;T1t表示第一个时间门,用于控制短期兴趣的时间间隔影响;T2t表示第二个时间门,用于控制长期兴趣的时间间隔影响;D1t表示第一个距离门,用于控制短期兴趣的距离间隔影响;D2t表示第二个距离门,用于控制长期兴趣的距离间隔影响;Δt表示相邻两个签到的所述兴趣点间的时间间隔;Δd表示相邻两个签到的所述兴趣点间的距离间隔;ot表示所述输出门。
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