[发明专利]离子注入装置、离子束被照射体及离子注入方法

权利要求书

1.一种离子注入装置，其特征在于，具备：

离子源，构成为生成包含非放射性核种的离子的离子束；

射束线，构成为支承离子束被照射体；及

控制装置，构成为运算通过入射于所述离子束被照射体的所述非放射性核种的离子与作为之前进行的离子束照射的结果而积蓄在所述离子束被照射体的所述非放射性核种的核反应而产生的放射线的推断线量。

2.根据权利要求1所述的离子注入装置，其特征在于，

所述非放射性核种为¹¹B或¹⁰B，所述放射线为中子束。

3.根据权利要求1或2所述的离子注入装置，其特征在于，

还具备加速器，该加速器能够将通过所述离子源生成的所述离子束加速为至少4MeV的超高能量。

4.根据权利要求1或2所述的离子注入装置，其特征在于，

所述控制装置具备：

深度分布运算部，运算积蓄在所述离子束被照射体的所述非放射性核种的推断深度分布；

核反应率运算部，根据包含所述离子束的能量及每单位时间的照射量的离子束照射条件、所述非放射性核种的推断深度分布，运算推断核反应率；及

放射线量运算部，根据所述推断核反应率运算所述放射线的推断线量。

5.根据权利要求4所述的离子注入装置，其特征在于，

所述深度分布运算部通过对按每个离子束照射条件运算的所述非放射性核种的深度分布进行积算，运算所述非放射性核种的推断深度分布。

6.根据权利要求1或2所述的离子注入装置，其特征在于，

所述控制装置构成为如下，即，所述放射线的推断线量超过规定的上限线量时，显示警告和/或禁止所述离子束向所述离子束被照射体的照射。

7.根据权利要求1或2所述的离子注入装置，其特征在于，

所述离子束被照射体具有位于互不相同的位置的多个被照射区域，

所述控制装置构成为以使所述放射线的推断线量低于规定的上限线量的方式，从所述多个被照射区域选择任意一个的被照射区域，

所述射束线具备相对位置调整机构，其构成为以使所述非放射性核种的离子入射到所选择的所述被照射区域的方式，调整所述离子束被照射体与所述离子束之间的相对位置。

8.根据权利要求1或2所述的离子注入装置，其特征在于，

所述离子束被照射体具有分配为加速为超过规定的能量阈值的能量的高能量离子束专用的高能量专用被照射区域。

9.根据权利要求8所述的离子注入装置，其特征在于，

所述控制装置针对所述高能量专用被照射区域运算所述放射线的推断线量。

10.根据权利要求8所述的离子注入装置，其中，

所述规定的能量阈值位于4MeV以上的超高能量区域。

11.根据权利要求1或2所述的离子注入装置，其特征在于，

所述离子束被照射体作为所述射束线所具备的射束电流测量器来构成，

所述控制装置根据通过所述射束电流测量器测量出的实际测量射束电流，运算所述放射线的推断线量。

12.根据权利要求1或2所述的离子注入装置，其特征在于，

所述离子束被照射体作为射束偏转装置、孔隙板、射束光闸、射束阻尼器、晶圆支承部或晶圆的至少一部分来构成。

13.一种离子注入方法，其特征在于，具备：

生成包含非放射性核种的离子的离子束的步骤；

支承离子束被照射体的步骤；及

运算通过入射于所述离子束被照射体的所述非放射性核种的离子与作为之前进行的离子束照射的结果而积蓄在所述离子束被照射体的所述非放射性核种的核反应而放出的放射线的推断线量的步骤。