[发明专利]LDMOS晶体管及其制造方法

权利要求书

1.一种LDMOS晶体管，其特征在于，

包括临近漏端的场氧化层和沿长度方向与所述场氧化层相邻的至少一个漏氧化层；

其中，所述漏氧化层的厚度小于所述场氧化层的厚度，通过调节所述场氧化层和所述漏氧化层的长度比值，以提高所述LDMOS晶体管的击穿电压性能。

2.根据权利要求1所述的LDMOS晶体管，其特征在于，还包括，位于漏极区域的具有第二掺杂类型的漂移区，从所述漏端到所述沟道方向所述漂移区的注入深度递减，以提高所述LDMOS晶体管的导通电阻性能。

3.根据权利要求1所述的LDMOS晶体管，其特征在于，还包括，位于源极区域的具有第一掺杂类型的复合阱区，沿长度方向，靠近所述漏端侧，具有凸出的第一区域，沿厚度方向，向基层的底部具有凸出的第二区域。

4.根据权利要求2所述的LDMOS晶体管，其特征在于，从所述漏端到所述沟道方向所述漂移区的掺杂浓度递减。

5.根据权利要求3所述的LDMOS晶体管，其特征在于，所述复合阱区由第二阱区和第一阱区叠加形成，其中，所述第一阱区比所述第二阱区的宽度宽，所述第二阱区比所述第一阱区的深度深。

6.根据权利要求5所述的LDMOS晶体管，其特征在于，所述第二阱区的掺杂浓度小于所述第一阱区的掺杂浓度。

7.根据权利要求1所述的LDMOS晶体管，其特征在于，当所述漏氧化层的个数大于1时，从所述漏端到所述沟道方向所述漏氧化层的厚度递减。

8.根据权利要求7所述的LDMOS晶体管，其特征在于，还包括，沿长度方向，从沟道上方至少延伸至第二厚度的氧化层表面的栅极导体，其中，第二厚度的氧化层为在所述场氧化层和所述漏氧化层中厚度为第二的氧化层。

9.根据权利要求8所述的LDMOS晶体管，其特征在于，还包括，位于所述栅极导体下方的栅介质层，其中，所述栅介质层与所述漏氧化层相邻。

10.根据权利要求3所述的LDMOS晶体管，其特征在于，

所述基层包括半导体衬底和位于所述半导体衬底中具有第二掺杂类型的深阱区，

所述漂移区和所述复合阱区均位于所述深阱区。

11.根据权利要求10所述的LDMOS晶体管，其特征在于，还包括，

位于所述漂移区中的具有第二掺杂类型的漏区。

位于所述复合阱区中的具有第二掺杂类型的源区和具有第一掺杂类型的体区。

12.一种制造LDMOS晶体管的方法，其特征在于，包括：

在基层的第一表面形成临近漏端的场氧化层；

在基层的第一表面沿长度方向形成与所述场氧化层相邻的至少一个漏氧化层；

其中，所述漏氧化层的厚度小于所述场氧化层的厚度，通过调节所述场氧化层和所述漏氧化层的长度比值，以提高所述LDMOS晶体管的击穿电压性能。

13.根据权利要求12所述的方法，还包括：

在基层中的漏极区域形成具有第二掺杂类型的漂移区，其中，从所述漏端到所述沟道方向所述漂移区的注入深度递减，以提高所述LDMOS晶体管的导通电阻性能。

14.根据权利要求13所述的方法，还包括

在基层中的源极区域形成具有第一掺杂类型的复合阱区，其中，所述复合阱区沿长度方向，靠近所述漏端侧，具有凸出的第一区域，沿厚度方向，向基层的底部具有凸出的第二区域。

15.根据权利要求13所述的方法，其特征在于，从所述漏端到所述沟道方向所述漂移区的掺杂浓度递减。