[发明专利]像素结构及其制备方法、显示屏和显示装置在审
申请号: | 201810531879.0 | 申请日: | 2018-05-29 |
公开(公告)号: | CN110098221A | 公开(公告)日: | 2019-08-06 |
发明(设计)人: | 蔡小龙 | 申请(专利权)人: | 广东聚华印刷显示技术有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;H01L21/77 |
代理公司: | 广州华进联合专利商标代理有限公司 44224 | 代理人: | 林青中 |
地址: | 510000 广东省广州市广州*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 像素 弧形凹陷状 显示屏 像素结构 像素界定层 显示装置 基板 制备 蓝色像素 像素单元 应用场景 整体寿命 反射角 解析度 可视角 中蓝色 收窄 开口 保密 应用 | ||
本发明涉及一种像素结构及其制备方法、显示屏和显示装置,其中像素结构包括:基板;像素界定层,形成于所述基板上,所述像素界定层上设有多个像素坑,至少部分的所述像素坑的底部呈弧形凹陷状。该像素结构通过在像素界定层上设置底部呈弧形凹陷状的像素坑,从而可以缩小反射角,实现显示屏的可视角收窄,使显示屏可以应用于需要保密的应用场景;另外,底部呈弧形凹陷状的像素坑还可增加像素单元中蓝色像素的面积,从而相应的延长蓝色像素的寿命,间接的延长了显示屏的整体寿命。而且,底部呈弧形凹陷状的像素坑在增加像素面积的同时不用改变像素坑的开口大小,不会导致解析度下降。
技术领域
本发明涉及显示技术领域,尤其涉及一种像素结构及其制备方法、显示屏和显示装置。
背景技术
OLED(Organic Light-Emitting Diode,有机发光二极管)技术是一种非常有前景的显示技术,OLED显示装置具有自发光、结构简单、轻薄、响应速度快、视角宽、颜色丰富、低功耗及实现柔性显示等一系列的优点,已成为显示技术领域的中第三代显示器件主力军,可以广泛用于智能手机、平板电脑、电视等终端产品。然而,OLED显示屏视角宽的特性并不适用于需要保密的应用场景,比如银行ATM机。
另外,OLED显示屏的寿命与像素的关联度很大,即像素的寿命在很大程度上决定了OLED显示屏的寿命。目前,行业内用于制作像素的瓶颈在于蓝色像素,其原因在于蓝色像素在同等的电流下的发光效率明显低于绿色和红色像素,为了使得OLED显示屏可以正常的显示,只能提高蓝色像素的电流,这样做虽然平衡了绿色和红色,但是因为电流提高了,蓝色像素的寿命会大大缩短,从而影响OLED显示屏的寿命。
发明内容
基于此,有必要提供一种像素结构,可以缩小可视角度和保证像素发光寿命;相应地,还提供一种像素结构的制备方法,且相应提供包含该像素结构的显示屏和显示装置。
具体的技术方案如下:
一种像素结构,包括:
基板;
像素界定层,形成于所述基板上,所述像素界定层上设有多个像素坑,至少部分的所述像素坑的底部呈弧形凹陷状。
本申请上述像素结构通过在像素界定层上设置底部呈弧形凹陷状的像素坑,从而可以缩小反射角,实现显示屏的可视角收窄,使显示屏可以应用于需要保密的应用场景;另外,底部呈弧形凹陷状的像素坑还可用于增加像素单元中蓝色像素的面积,使得在平衡红色像素和绿色像素时,无需对蓝色像素提供过大的电流,即可正常的显示,从而相应的延长了蓝色像素的寿命,间接的延长了显示屏的整体寿命。
而且,底部呈弧形凹陷状的像素坑在增加像素面积的同时不用改变像素坑的开口大小,不会导致解析度下降。
在其中一个实施例中,多个所述像素坑的底部均呈弧形凹陷状。
在其中一个实施例中,所述像素坑的底部的曲率半径为50μm~1000μm。
可以理解,像素坑的底部的曲率半径可以根据RGB像素的具体工艺需求而变更。
在其中一个实施例中,所述像素界定层的厚度为50nm~5000nm。在该厚度范围内,可以保证像素坑的曲率半径要求,且可以很好的起到视角收窄的效果。
在其中一个实施例中,所述像素结构还包括设于所述像素坑内的像素电极,所述像素电极的上表面呈相应的弧形凹陷状且不高于所述像素界定层的上表面。
在其中一个实施例中,所述像素界定层上还设有与每个所述像素坑相邻的过孔,所述过孔内也设有像素电极,所述过孔内的像素电极与所述像素坑内的像素电极连接,且不高于所述像素界定层的表面设置。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的