[发明专利]一种氧化镓欧姆接触电极的制备方法有效
| 申请号： | 201810532221.1 | 申请日： | 2018-05-23 |
| 公开（公告）号： | CN108461404B | 公开（公告）日： | 2020-12-11 |
| 发明（设计）人： | 夏晓川;梁红伟;张贺秋;柳阳 | 申请（专利权）人： | 大连理工大学 |
| 主分类号： | H01L21/443 | 分类号： | H01L21/443;H01L29/45 |
| 代理公司： | 大连理工大学专利中心 21200 | 代理人： | 温福雪;侯明远 |
| 地址： | 116024 辽*** | 国省代码： | 辽宁;21 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 氧化 欧姆 接触 电极 制备 方法 | ||
1.一种氧化镓欧姆接触电极的制备方法，其特征在于，步骤如下：
步骤1、在氧化镓层(1)上依次预沉积镁层(2)和金层(3)，镁层(2)的厚度为1nm～1mm，金层(3)的厚度为1nm～1mm；
步骤2、将步骤1得到的样品进行热处理，热处理使得镁层和金层能够形成特定合金结构，实现合金功函数与氧化镓电子亲合势相匹配，进而形成欧姆接触特性；热处理的条件如下：
热处理温度为100℃～800℃；
热处理时间为30s～3600s；
热处理压强为1×10-6Pa～1×106Pa；
热处理气氛为真空、惰性气体中的一种或两种以上组合；
步骤3、温度降到室温后，取出，即为氧化镓欧姆接触电极。
2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述的镁层(2)的厚度为20nm～1000nm；所述的金层(3)的厚度为20nm～1000nm。
3.根据权利要求1或2所述的制备方法，其特征在于，所述的热处理的条件如下：
热处理温度为300℃～600℃；
热处理时间为120s～600s；
热处理压强为1×10-1Pa～5×105Pa。
4.根据权利要求1或2所述的制备方法，其特征在于，所述的预沉积方法是溶胶凝胶法、热蒸发法、电子束蒸发法、磁控溅射法、激光脉冲沉积、原子层外延或分子束外延法。
5.根据权利要求3所述的制备方法，其特征在于，所述的预沉积方法是溶胶凝胶法、热蒸发法、电子束蒸发法、磁控溅射法、激光脉冲沉积、原子层外延或分子束外延法。
6.根据权利要求1、2或5所述的制备方法，其特征在于，热处理过程中所用的加热器设备包括有单温区或多温区控制的箱式炉、管式炉和RTP快速退火炉。
7.根据权利要求3所述的制备方法，其特征在于，热处理过程中所用的加热器设备包括有单温区或多温区控制的箱式炉、管式炉和RTP快速退火炉。
8.根据权利要求4所述的制备方法，其特征在于，热处理过程中所用的加热器设备包括有单温区或多温区控制的箱式炉、管式炉和RTP快速退火炉。
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