[发明专利]显示面板及其制作方法有效
申请号: | 201810532487.6 | 申请日: | 2018-05-29 |
公开(公告)号: | CN108735787B | 公开(公告)日: | 2020-11-06 |
发明(设计)人: | 冯校亮 | 申请(专利权)人: | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;H01L21/77;H01L21/027;G06F3/041 |
代理公司: | 深圳市威世博知识产权代理事务所(普通合伙) 44280 | 代理人: | 钟子敏 |
地址: | 430000 湖北省武汉市东湖新技术*** | 国省代码: | 湖北;42 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 显示 面板 及其 制作方法 | ||
1.一种显示面板的制作方法,其特征在于,包括:
在基板上形成器件层;
在所述器件层上定义光阻图案,其中,所述光阻图案包括光阻部分以及裸露部分,所述裸露部分未被所述光阻覆盖;
依据所述光阻图案进行镀膜,使得所述裸露部分以及所述光阻部分均覆盖有相应的膜层;
剥离所述光阻部分以及覆盖在所述光阻部分上的膜层,进而形成相应的目标膜层;
所述在基板上形成器件层的步骤包括:
在基板上依次形成层叠设置的晶体管层、发光层以及封装层以形成器件层;其中,所述显示面板包括像素区以及绑定区,所述晶体管层由所述像素区延展至所述绑定区,所述发光层以及所述封装层仅设置在所述像素区内;
所述在所述器件层上定义光阻图案的步骤包括:
在所述封装层上以及位于所述绑定区的所述晶体管层上覆盖第一光阻,并通过黄光工艺曝光显影在所述绑定区定义第一光阻图案,在所述像素区无所述第一光阻图案;其中,所述第一光阻图案包括第一光阻部分以及第一裸露部分,所述第一裸露部分未被所述第一光阻覆盖;
所述依据所述光阻图案进行镀膜,使得所述裸露部分以及所述光阻部分均覆盖有相应的膜层的步骤包括:
依据所述第一光阻图案在所述器件层上沉积SiNx膜层,使得所述第一裸露部分以及所述第一光阻部分均覆盖有所述SiNx膜层;
所述剥离所述光阻部分以及覆盖在所述光阻部分上的膜层,进而形成相应的目标膜层步骤包括:
剥离所述第一光阻部分以及覆盖在所述第一光阻部分上的所述SiNx膜层,进而形成覆盖所述像素区及部分所述绑定区的第一绝缘层;所述在所述器件层上定义光阻图案的步骤包括:
在所述第一绝缘层上覆盖第二光阻,并通过黄光工艺曝光显影在所述像素区定义第二光阻图案,在所述绑定区无所述第二光阻图案;其中,所述第二光阻图案包括第二光阻部分以及第二裸露部分,所述第二裸露部分未被所述第二光阻覆盖;
所述依据所述光阻图案进行镀膜,使得所述裸露部分以及所述光阻部分均覆盖有相应的膜层的步骤包括:
依据所述第二光阻图案在所述器件层上沉积金属膜层,使得所述第二裸露部分以及所述第二光阻部分均覆盖有所述金属膜层;
所述剥离所述光阻部分以及覆盖在所述光阻部分上的膜层,进而形成相应的目标膜层步骤包括:
剥离所述第二光阻部分以及覆盖在所述第二光阻部分上的所述金属膜层,进而形成覆盖部分所述像素区的桥点层。
2.根据权利要求1所述的制作方法,其特征在于,所述在所述器件层上定义光阻图案的步骤包括:
在所述桥点层上覆盖第三光阻,并通过黄光工艺曝光显影在所述像素区以及所述绑定区定义第三光阻图案;其中,所述第三光阻图案包括第三光阻部分以及第三裸露部分,所述第三裸露部分未被所述第三光阻覆盖;
所述依据所述光阻图案进行镀膜,使得所述裸露部分以及所述光阻部分均覆盖有相应的膜层的步骤包括:
依据所述第三光阻图案在所述桥点层上沉积SiNx膜层,使得所述第三裸露部分以及所述第三光阻部分均覆盖有所述SiNx膜层;
所述剥离所述光阻部分以及覆盖在所述光阻部分上的膜层,进而形成相应的目标膜层步骤包括:
剥离所述第三光阻部分以及覆盖在所述第三光阻部分上的所述SiNx膜层,进而形成覆盖部分所述像素区以及部分所述绑定区的第二绝缘层。
3.根据权利要求2所述的制作方法,其特征在于,所述在所述器件层上定义光阻图案的步骤包括:
在所述第二绝缘层上覆盖第四光阻,并通过黄光工艺曝光显影在所述像素区以及所述绑定区定义第四光阻图案;其中,所述第四光阻图案包括第四光阻部分以及第四裸露部分,所述第四裸露部分未被所述第四光阻覆盖;
所述依据所述光阻图案进行镀膜,使得所述裸露部分以及所述光阻部分均覆盖有相应的膜层的步骤包括:
依据所述第四光阻图案在所述第二绝缘层上沉积金属膜层,使得所述第四裸露部分以及所述第四光阻部分均覆盖有所述金属膜层;
所述剥离所述光阻部分以及覆盖在所述光阻部分上的膜层,进而形成相应的目标膜层步骤包括:
剥离所述第四光阻部分以及覆盖在所述第四光阻部分上的所述金属膜层,进而形成覆盖部分所述像素区以及部分所述绑定区的触控层。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
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H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
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H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的