[发明专利]一种太阳能电池制造工艺有效
申请号: | 201810532989.9 | 申请日: | 2018-05-29 |
公开(公告)号: | CN108767061B | 公开(公告)日: | 2019-10-15 |
发明(设计)人: | 顾雨彤;刘昊天 | 申请(专利权)人: | 绍兴市亚索新能源科技有限公司 |
主分类号: | H01L31/18 | 分类号: | H01L31/18;H01L31/0236;B28D5/04;B28D7/04 |
代理公司: | 绍兴市寅越专利代理事务所(普通合伙) 33285 | 代理人: | 焦亚如 |
地址: | 312000 浙江省绍兴*** | 国省代码: | 浙江;33 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 固定座 太阳能电池 固定支架 无杆气缸 制造工艺 夹紧块 双滑块 支撑架 立板 底座 切割装置 晶体硅切割 生产效率 滑块 制造 生产 | ||
本发明属于太阳能电池制造技术领域,具体的说是一种太阳能电池制造工艺,该制造工艺的晶体硅切割装置包括底座、固定支架、双滑块无杆气缸、支撑架、切割装置、固定座、夹紧块、立板;所述固定支架安装在底座上;所述双滑块无杆气缸固定在固定支架上;所述支撑架数量为二,固定在双滑块无杆气缸的滑块上;所述切割装置固定在支撑架上;所述固定座数量为二,其中一个固定座固定在固定支架上,另一个固定座固定在立板上;所述夹紧块夹紧块固定在固定座上;所述立板固定在底座上。本发明能够提高成品的质量,提高生产效率,有利于大批量的太阳能电池的生产。
技术领域
本发明属于太阳能电池制造技术领域,具体的说是一种太阳能电池制造工艺。
背景技术
为了降低生产太阳能电池的生产成本,地面应用的太阳能电池等采用太阳能级的晶体硅,材料性能指标有所放宽,有的也可使用半导体器件加工的头尾料和废次晶体硅材料,经过复拉制成太阳能电池专用的晶体硅,晶体硅太阳能电池将晶体硅切成片,一般片厚约0.3毫米,硅片经过抛磨、清洗等工序,制成待加工的原料硅片,加工太阳能电池片,首先要在硅片上掺杂和扩散,一般掺杂物为微量的硼、磷、锑等,扩散是在石英管制成的高温扩散炉中进行,这样就硅片上形成PN结,然后采用丝网印刷法,精配好的银浆印在硅片上做成栅线,经过烧结,同时制成背电极,并在有栅线的面镀上减反射膜,以防大量的光子被硅片表面反射掉,因此晶体硅太阳能电池的单体片就制成了。但是现有的晶体硅切割装置在切割晶体硅时发现,其零部件切割过程中,稳定性较差,导致其切割准确性较低;并且零部件冷却时,冷却不及时并且不能方便的对其冷却过程进行观察,导致其实用性较差;而且晶体硅在固定座上滑动磨损较大。
鉴于此,本发明所述的一种太阳能电池制造工艺,其晶体硅切割装置可以使晶体硅位置调节方便且可以对晶体硅进行有效固定,保证了晶体硅切割的准确性;同时将晶体硅在固定座上的滑动摩擦转变为滚动摩擦,降低了晶体硅的损耗,降低了成本;该装置还可以在晶体硅切割的过程中对晶体硅进行冷却,冷却过程易于观察,实用性高;本发明所述的太阳能制造工艺在提高了成品合格率的同时,提高了生产效率,在新能源逐步成为主流的今天,具有很高的实用性。
发明内容
为了弥补现有技术的不足,本发明提出了一种太阳能电池制造工艺,本发明主要用于太阳能电池的批量制造,本工艺采用的晶体硅切割装置通过双滑块无杆气缸与切割装置的配合,提高了晶体硅的切割效率;同时本发明在晶体硅切割的同时对其进行冷却,防止了晶体硅切割过程中的损耗,并且冷却过程易观察,提高了实用型;本发明通过夹紧块与固定座相配合,使得晶体硅的位置易于调节,同时夹紧块可以有效地固定晶体硅,确保切割的精确。
本发明解决其技术问题所采用的技术方案是:本发明所述的一种太阳能电池制造工艺,该工艺包括如下步骤:
步骤一:将晶体硅原料放置与晶体硅切割装置上进行切割;
步骤二:步骤一切割完成后,将切割好的晶体硅置于碱液中去除损伤层,同时使晶体硅表面凹凸不平,形成漫反射,减少直射到晶体硅表面的太阳能损失;
步骤三:步骤二中晶体硅腐蚀后,对晶体硅做扩散处理,使晶体硅形成PN结;
步骤四:步骤三中扩散处理后,对处理后的晶体硅进行边缘刻蚀与清洗,使晶体硅初步变为太阳能电池;
步骤五:步骤四中晶体硅形成太阳能电池雏形后,通过丝网印刷法将银铝浆印刷在太阳能电池的正背面,以形成正负电极引线;
步骤六:步骤五中太阳能电池印刷完成后,通过共烧工艺使太阳能电池形成金属接触;
步骤七:步骤六中共烧工艺完成后,对制备好的太阳能进行测试和分档,最后归类;
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于绍兴市亚索新能源科技有限公司,未经绍兴市亚索新能源科技有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201810532989.9/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:一种新型自动化非晶硅薄膜电池设备
- 下一篇:一种光伏组件及其封装方法
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的