[发明专利]一种半导体晶圆电镀设备

权利要求书

1.一种半导体晶圆电镀设备，其特征在于：包括反应腔(1)、磁环(2)、晶圆(3)、保持架(4)和永磁体(5)，所述反应腔(1)为圆筒状，晶圆(3)在反应腔(1)内进行电镀反应，反应腔(1)的上部设置有进液口，反应腔(1)底部设置有出液口，出液口与进液口通过泵和软管实现连接，用于实现电镀液的循环利用；所述磁环(2)水平固定在反应腔(1)内，磁环(2)在反应腔(1)内均匀排列有多层；所述晶圆(3)两两组成一对、上下对称布置，晶圆(3)设置于磁环(2)上方，一组晶圆(3)之间通过保持架(4)实现连接，作为一组的上下两块晶圆(3)边缘通过密封板(6)实现密封，从而在两块晶圆(3)之间形成密封的空间，进而实现对晶圆(3)的单面电镀；所述保持架(4)位于一组晶圆(3)的封闭空间内；所述永磁体(5)设置于保持架(4)内部，由于晶圆(3)位于磁环(2)与永磁体(5)之间，且保持架(4)两端连接有晶圆(3),通过永磁体(5)与磁环(2)间存在相反作用力，且磁环(2)连接于反应腔(1)内，在该作用力下只能实现永磁体(5)的悬浮，从而实现晶圆(3)的悬浮。

2.根据权利要求1所述的一种半导体晶圆电镀设备，其特征在于：所述保持架(4)由同轴设置的内外圆环组成，圆环的截面为矩形，内外圆环之间通过支架(7)实现连接，保持架(4)内外圆环的内部为空腔结构，空腔内为负压环境，内外圆环的上下表面均设置有吸附孔，吸附孔与空腔相通，作为一组的晶圆(3)位于保持架(4)的上下表面，晶圆(3)与保持架(4)的吸附孔相贴合，利用负压实现将晶圆(3)固定在保持架(4)上；所述永磁体(5)固定在保持架(4)的空腔内。

3.根据权利要求2所述的一种半导体晶圆电镀设备，其特征在于：所述保持架(4)的上下表面设置有密封边(8)，密封边(8)位于晶圆(3)和保持架(4)之间，密封边(8)用于实现晶圆(3)与保持架(4)之间的密封，提高晶圆(3)在保持架(4)上的吸附效果。

4.根据权利要求1所述的一种半导体晶圆电镀设备，其特征在于：所述反应腔(1)侧壁上的进液口倾斜设置且数量为多个，进液口沿着反应腔(1)的圆周均匀布置；所述密封板(6)在外侧设置有拨板(61)；所述拨板(61)沿着密封板(6)的外圆周表面倾斜布置，拨板(61)的倾斜方向与进液口方向相同，拨板(61)用于通过进液口注入的电镀液的运动来带动晶圆(3)在电镀溶液内转动。

5.根据权利要求2所述的一种半导体晶圆电镀设备，其特征在于：所述保持架(4)上还设置有线圈(9)，线圈(9)呈圆环状固定在保持架(4)的支架(7)上。

6.根据权利要求2所述的一种半导体晶圆电镀设备，其特征在于：所述保持架(4)在内圆环的内侧设置有缸体一(10)和缸体二(11)；所述缸体一(10)和缸体二(11)通过一根活塞杆实现连接，缸体二(11)左腔室设置有水银，缸体一(10)左腔室的进气孔与保持架(4)内外环的空腔结构通过气管相连通，实现对保持架(4)空腔的持续抽负压。