[发明专利]一种半导体二极管生产制造工艺有效

专利信息
申请号: 201810534881.3 申请日: 2018-05-29
公开(公告)号: CN108470684B 公开(公告)日: 2021-03-19
发明(设计)人: 陈欣洁;王勇 申请(专利权)人: 上海朋熙半导体有限公司
主分类号: H01L21/329 分类号: H01L21/329
代理公司: 广州海藻专利代理事务所(普通合伙) 44386 代理人: 张大保
地址: 201800 上海市嘉定*** 国省代码: 上海;31
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摘要:
搜索关键词: 一种 半导体 二极管 生产 制造 工艺
【说明书】:

发明属于二极管生产制造技术领域,具体的说是一种半导体二极管生产制造工艺,包括酸洗、电镀、焊接、绝缘保护、引脚折弯和后处理等工艺步骤;所述引脚折弯工序中所用到的二极管引脚成形设备包括安装架、折弯模块和夹持模块,安装架包括工作台和支撑架;支撑架位于工作台下端;工作台上设置有弧形通孔,且弧形通孔位于折弯模块处;夹持模块位于工作台的台面上,夹持模块与工作台为可拆卸式连接,夹持模块用于夹持二极管的引脚;折弯模块位于夹持模块端部,折弯模块用于对二极管的引脚折弯;本发明通过二极管引脚成形设备改良了二极管生产制造工艺,使得二极管引脚的折弯方式更为简单,提高了二极管引脚的折弯效率以及二极管的品质。

技术领域

本发明属于二极管生产制造技术领域,具体的说是一种半导体二极管生产制造工艺。

背景技术

二极管是最常用的电子元件之一,最大的特性就是单向导电,也就是电流只可以从二极管的一个方向流过,二极管的作用有整流电路,检波电路,稳压电路,各种调制电路也主要是由二极管来构成的;

目前二极管,是采用芯片、焊料和引线进行高温焊接,再对芯片表面进行酸处理,但在酸洗过程中,焊料和引线中的金属杂质会和酸液反应,影响芯片的腐蚀速率;同时,这些金属与酸反应生成的金属离子会附着在芯片表面,后工序中需要大量的清水和化学试剂清洗;这样的清洗不但消耗了大量的资源,并且附着在芯片表面的铜离子无法彻底清洗,会使得产品的电性衰降和高温下发生热击穿等故障;

同时,二极管生产过程中通常根据二极管的型号、用途不同会对二极管进行折弯加工,很多二极管是在完成均胶光刻过后,对二极管引线折弯,手工对二极管折弯时,用一个钳子夹持固定二极管引脚,用另一个钳子对二极管引脚折弯,在对二极管引脚折弯时,手工折弯效率低、引脚折弯角度把握不好、引脚折弯长度把握不好而且还费时费力,生产效率低下,产品合格率低,操作时间长。目前,对二极管的折弯成形环节工艺正在努力提升,以寻求高质量的二极管,来优化各种应用二极管的设备。

鉴于此,本发明所述的一种半导体二极管生产制造工艺,本发明主要用于提供一种能够低芯片腐蚀的杂质、降低清洗成本的二极管生产制造工艺,本发明通过安装架、夹持模块和折弯模块的相互配合工作,使得二极管在折弯成形过程中,易于被夹持固定、易于折弯成形,提高了二极管折弯成形的效率和二极管的品质。

发明内容

为了弥补现有技术的不足,本发明提出了一种半导体二极管生产制造工艺,本发明主要用于提供一种能够低芯片腐蚀的杂质、降低清洗成本的二极管生产制造工艺。本发明通过二极管引脚成形设备改良了二极管生产制造工艺,并解决了已上胶的二极管引脚在折弯成形时胶层易褶皱或胶层被拉长时易破裂的问题。

本发明解决其技术问题所采用的技术方案是:本发明所述的一种半导体二极管生产制造工艺,采用如下工艺步骤进行生产制造:

步骤一:酸洗;将二极管芯片放置在硫酸和磷酸的混酸溶液内进行酸腐蚀,且硫酸与磷酸的体积比为1:2,腐蚀时间为10~15min,酸温度控制在1~5℃之间;

步骤二:电镀;待步骤一酸洗工序完成后,酸洗后的二极管芯片经电镀,在二极管芯片表面形成金属保护层,镀层厚度为3~5μm,镀层金属为锡;

步骤三:焊接;待步骤二电镀工序完成后,将两金属制的引脚、焊片和电镀后的二极管芯片装入工夹具内,送入焊接炉三次加温,第一次温度控制在270~280℃,焊接时间为4~5min,第二次温度控制在280~290℃,焊接时间为4~5min,第三次温度控制在290~300℃,焊接时间为4~5min,使二极管芯片与引脚连接;

步骤四:绝缘保护;待步骤三焊接工序完成后,焊接后的材料经清洗烘干后,用相应治具上绝缘保护胶,再经固化工艺,促使引脚上的绝缘保护胶所形成的胶层完全固化;

步骤五:引脚折弯;待步骤四绝缘保护工序完成后,将二极管的引脚放入二极管引脚成形设备中,先对二极管引脚夹持固定和对二极管引脚的胶层软化,然后对二极管引脚折弯成形;

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