[发明专利]一种有机/无机pn结纳米阵列的柔性广谱光电探测器及其制备方法

权利要求书

1.一种有机/无机pn结纳米阵列的柔性广谱光电探测器，其特征在于，依次包括玻璃纤维布衬底，设置于玻璃纤维布衬底上的β-Ga₂O₃薄膜，设置于β-Ga₂O₃薄膜上的β-Ga₂O₃纳米柱阵列，设置于β-Ga₂O₃纳米柱阵列上方及间隙的PFH薄膜，设置于PFH薄膜内的CdSe量子点，设置于PFH薄膜上方的第一Au薄膜电极，设置于β-Ga₂O₃薄膜上方的第二Au薄膜电极；内部设置CdSe量子点的PFH薄膜为p型PFH@CdSe量子点有机蓝光混合薄膜，p型PFH@CdSe量子点有机蓝光混合薄膜与β-Ga₂O₃纳米柱阵列形成pn结结构。

2.根据权利要求1所述的一种有机/无机pn结纳米阵列的柔性广谱光电探测器，其特征在于，所述β-Ga₂O₃薄膜作为β-Ga₂O₃纳米柱阵列的生长基底，位于玻璃纤维布衬底和β-Ga₂O₃纳米柱阵列之间，所述β-Ga₂O₃纳米柱阵列的分布面积小于β-Ga₂O₃薄膜的面积，所述β-Ga₂O₃纳米柱阵列和第二Au薄膜电极位于β-Ga₂O₃薄膜的同一侧。

3.根据权利要求1所述的一种有机/无机pn结纳米阵列的柔性广谱光电探测器，其特征在于，所述CdSe量子点包含在PFH薄膜中，并均匀嵌入于β-Ga₂O₃纳米柱阵列之间。

4.根据权利要求1所述的一种有机/无机pn结纳米阵列的柔性广谱光电探测器，其特征在于，所述CdSe量子点包含在PFH薄膜中，并均匀嵌入于β-Ga₂O₃纳米柱阵列之间和均匀的分布于β-Ga₂O₃纳米柱阵列上方。

5.根据权利要求1或2或3或4所述的一种有机/无机pn结纳米阵列的柔性广谱光电探测器，其特征在于，所述β-Ga₂O₃纳米柱的直径为100-200nm，高度为0.8-1.5μm；所述设置于β-Ga₂O₃纳米柱阵列上方及间隙的PFH薄膜的厚度为1.0-1.5μm，CdSe量子点的直径为4-5nm，β-Ga₂O₃薄膜的厚度为0.2-0.5μm。