[发明专利]基于氧化镓异质结结构的柔性日盲紫外探测器及其制备方法有效

专利信息
申请号: 201810535388.3 申请日: 2018-05-30
公开(公告)号: CN108767028B 公开(公告)日: 2021-10-15
发明(设计)人: 陈谦 申请(专利权)人: 陈谦
主分类号: H01L31/0392 分类号: H01L31/0392;H01L31/032;H01L31/09;H01L31/18;B82Y40/00
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 322207 浙江省*** 国省代码: 浙江;33
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摘要:
搜索关键词: 基于 氧化 镓异质结 结构 柔性 紫外 探测器 及其 制备 方法
【权利要求书】:

1.基于氧化镓异质结结构的柔性日盲紫外探测器的制备方法,其特征在于,包括以下步骤:

步骤一,对玻璃纤维布衬底进行清洗,清洗过程如下:将衬底依次浸泡到丙酮、乙醇、去离子水中各超声10分钟,取出后再用去离子水冲洗,最后用干燥的N2气吹干,待用;

步骤二,将玻璃纤维布衬底放置于加热台,设置加热台的温度为100℃,将一粒Ga金属放置于玻璃纤维布衬底上方,待镓金属融化,利用载玻片将液体Ga金属压印成片,冷却后,形成Ga金属片/玻璃纤维布衬底待用;

步骤三,把Ga2O3靶材放置在磁控溅射沉积系统的靶台位置,将步骤二所得的Ga金属片/玻璃纤维布衬底固定在样品托上,放进真空腔;

步骤四,将真空腔腔体抽真空,通入氩气,调整真空腔内的压强,再通入氧气,加热Ga金属片/玻璃纤维布衬底,利用磁控溅射法在镓金属片表面的镓液滴上原位生长α-Ga2O3纳米柱阵列,并退火,然后,再继续升温,进行快速原位退火,获得α-Ga2O3/β-Ga2O3异质结纳米柱阵列、以及α-Ga2O3/β-Ga2O3异质结薄膜层,其中,Ga2O3靶材与玻璃纤维布衬底的距离设定为5厘米,抽真空后腔体压强为1×10-4Pa,通入氩气后,真空腔的压强为0.8-1.0Pa,通入氧气后,真空腔的压强调整为103Pa;

步骤五,利用掩膜版并通过射频磁控溅射技术在步骤四所得的α-Ga2O3/β-Ga2O3异质结纳米柱阵列和α-Ga2O3薄膜各上方沉积一层Ti/Au薄膜电极,其中,溅射工艺条件:抽真空后腔体压强为1×10-4Pa,衬底温度为室温,工作气氛为Ar气,工作气压为0.8-1.0Pa,溅射功率为60-80W,溅射时间为2min;制备的基于氧化镓异质结结构的柔性日盲紫外探测器,包括玻璃纤维布衬底,设置于玻璃纤维布衬底上方的α-Ga2O3薄膜,设置于α-Ga2O3薄膜上方的α-Ga2O3/β-Ga2O3异质结纳米柱阵列,设置于α-Ga2O3/β-Ga2O3异质结纳米柱阵列间隙的α-Ga2O3薄膜上方的β-Ga2O3薄膜,以及Ti/Au薄膜电极;

所述α-Ga2O3薄膜的厚度为0.5-1.0μm;所述α-Ga2O3/β-Ga2O3异质结纳米柱的直径为100-200nm,高度为1.0-1.5μm。

2.根据权利要求1所述的基于氧化镓异质结结构的柔性日盲紫外探测器的制备方法,其特征在于,所述α-Ga2O3薄膜位于玻璃纤维布衬底和α-Ga2O3/β-Ga2O3异质结纳米柱阵列之间,α-Ga2O3/β-Ga2O3异质结纳米柱阵列分布面积小于α-Ga2O3薄膜面积,设置于α-Ga2O3薄膜上方的Ti/Au薄膜电极与α-Ga2O3/β-Ga2O3异质结纳米柱阵列位于α-Ga2O3薄膜同一侧。

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