[发明专利]用于失效类型识别的方法和装置

说明书

本发明涉及用于失效类型识别的方法和装置，该方法包括：获取在芯片的热压结合TCB期间测量的多个TCB关键参数的值；根据所获取的所述多个TCB关键参数的值，设置用于识别所述芯片的TCB导致的任一失效类型的特定TCB关键参数的值，其中，所述任一失效类型指示某种TCB事件导致的某种特定失效，所述特定TCB关键参数是所述多个TCB关键参数中的至少两个；判断所述多个特定TCB关键参数的值是否都位于正常值范围之外；如果判断结果是肯定的，则确定所述芯片发生了所述任一失效类型。利用该方法和装置，能够准确地识别芯片发生的失效类型。

技术领域

本发明涉及芯片制造领域，尤其涉及芯片的失效类型识别的方法和装置。

背景技术

热压结合(TCB：Thermal Compression Bonding)是半导体封装工业中的高精度结合工艺，其通过加温加压的方式把硅片结合在基片上以制造芯片。

TCB具有三种类型的控制：压力控制、温度控制和位置控制。压力控制用于控制施加在硅片上的压力，温度控制用于控制在芯片的TCB期间所施加的温度，位置控制用于控制硅片在基片上放置的位置。芯片的整个TCB过程被划分为多个TCB阶段，在每一个TCB阶段中执行TCB的压力控制、温度控制和位置控制中的一个或多个。为了对芯片的TCB进行监测，在芯片的TCB期间需要测量各个TCB关键参数的值，其中，每一个TCB关键参数表示某一TCB阶段的与压力控制中所施加的压力有关的度量(最大压力、最小压力或压力持续时间等)、与温度控制中所施加的温度有关的度量(最大温度或最小温度等)、或者与位置控制中硅片在基片上所放置的位置有关的度量。

目前，通常利用所测量的单个TCB关键参数的值来判断芯片是否发生某种TCB事件导致的某种失效。然而，TCB关键参数的值通常受许多不同因素的影响，因而，TCB关键参数的值超出正常值范围既有可能是由于芯片发生某种失效这个因素造成的，也有可能是其它因素造成的。因此，仅利用单个TCB关键参数的值通常难以准确地识别芯片是否发生了某种TCB事件导致的某种失效。

发明内容

考虑到现有技术的缺陷，本发明的实施例提供用于失效类型识别的方法和装置，其能够准确地识别芯片发生的失效类型。

按照本发明的实施例的一种用于失效类型识别的方法，包括：获取在芯片的热压结合TCB期间测量的多个TCB关键参数的值；根据所获取的所述多个TCB关键参数的值，设置用于识别所述芯片的TCB导致的任一失效类型的特定TCB关键参数的值，其中，所述任一失效类型指示某种TCB事件导致的某种特定失效，所述特定TCB关键参数是所述多个TCB关键参数中的至少两个；判断所述特定TCB关键参数的值是否都位于正常值范围之外；以及，如果判断结果是肯定的，则确定所述芯片发生了所述任一失效类型。

按照本发明的实施例的一种用于失效类型识别的装置，包括：获取模块，用于获取在芯片的热压结合TCB期间测量的多个TCB关键参数的值；设置模块，用于根据所获取的所述多个TCB关键参数的值，设置用于识别所述芯片的TCB导致的任一失效类型的特定TCB关键参数的值，其中，所述任一失效类型指示某种TCB事件导致的某种特定失效，所述特定TCB关键参数是所述多个TCB关键参数中的至少两个；判断模块，用于判断所述特定TCB关键参数的值是否都位于正常值范围之外；以及，确定模块，用于如果判断结果是肯定的，则确定所述芯片发生了所述任一失效类型。

按照本发明的实施例的一种用于失效类型识别的设备，包括：处理器；以及，存储器，其上存储有可执行指令，其中，所述可执行指令当被执行时使得所述处理器执行前述的方法。

按照本发明的实施例的一种机器可读介质，其上存储有可执行指令，其中，所述可执行指令当被执行时使得机器执行前述的方法。