[发明专利]堆叠式封装热传递系统和方法

权利要求书

1.一种堆叠式封装(PoP)半导体封装，包括：

具有顶表面和底表面的第一半导体封装；以及

具有顶表面和底表面的第二半导体封装；所述第二半导体封装可通信地耦合到所述第一半导体封装；

其中，在将所述第一半导体封装可通信地耦合到所述第二半导体封装之后，间隙形成在所述第二半导体封装的底表面和所述第一半导体封装的顶表面之间；并且

其中，所述间隙填充有可固化流体材料，所固化的材料将所述第一半导体封装的顶表面导热地耦合到所述第二半导体封装的底表面。

2.根据权利要求1所述的PoP系统，其中，所述第一半导体封装包括管芯堆叠，并且其中，所述第一半导体封装的顶表面的至少一部分包括所述管芯堆叠中包括的最上面的裸露管芯。

3.根据权利要求2所述的PoP系统，其中，至少一个第一半导体封装包括片上系统(SoC)。

4.根据权利要求3所述的PoP系统，其中，所述第二半导体封装包括封装在具有第一热导率的模塑料中的一个或多个存储器管芯。

5.根据权利要求4所述的PoP系统，其中，所述可固化流体材料包括在固化时具有第二热导率的非导电材料，所述第二热导率大于所述第一热导率。

6.根据权利要求1所述的PoP系统，其中，在操作中，所述第一半导体封装的热输出超过所述第二半导体封装的热输出。

7.根据权利要求1所述的PoP系统，其中，所述第一半导体封装的顶表面包括具有第一面积的表面，并且所述第二半导体封装的底表面包括具有第二面积的表面，所述第二面积小于所述第一面积。

8.根据权利要求1所述的PoP系统，其中，所述可固化流体材料至少部分地沿着所述第二半导体封装的侧面延伸，所固化的材料形成至少部分地围绕所述第二半导体封装的外围延伸的外围壁。

9.一种堆叠式封装(PoP)半导体封装制造方法，包括：

可通信地耦合第一半导体封装和第二半导体封装，以使得间隙形成在所述第二半导体封装的下表面和所述第一半导体封装的上表面之间，其中，所述第一半导体封装包括形成所述第一半导体封装的上表面的至少一部分的裸露管芯；以及

使可固化流体材料在所述第二封装的下表面和所述第一封装的上表面之间的间隙中流动，所固化的材料将所述第一半导体封装的上表面导热地耦合到所述第二半导体封装的下表面。

10.根据权利要求9所述的PoP制造方法，其中，可通信地耦合第一半导体封装和第二半导体封装以使得间隙形成在所述第二半导体封装的下表面和所述第一半导体封装的上表面之间包括：

可通信地耦合所述第一半导体封装和所述第二半导体封装以使得所述间隙形成在所述第二半导体封装的下表面和所述第一半导体封装的上表面之间；

其中，所述第一半导体封装包括管芯堆叠；并且

其中，形成所述第一半导体封装的上表面的至少一部分的裸露管芯包括所述管芯堆叠中的最上面的管芯。

11.根据权利要求10所述的PoP制造方法，其中，可通信地耦合第一半导体封装和第二半导体封装以使得间隙形成在所述第二半导体封装的下表面和所述第一半导体封装的上表面之间包括：

可通信地耦合所述第一半导体封装和所述第二半导体封装以使得所述间隙形成在所述第二半导体封装的下表面和所述第一半导体封装的上表面之间；

其中，所述第一半导体封装包括片上系统(SoC)。