[发明专利]一种检测多环芳烃的电化学传感器制备方法及其应用有效
申请号: | 201810539025.7 | 申请日: | 2018-05-30 |
公开(公告)号: | CN108732219B | 公开(公告)日: | 2020-10-16 |
发明(设计)人: | 罗宿星;伍远辉 | 申请(专利权)人: | 遵义师范学院 |
主分类号: | G01N27/30 | 分类号: | G01N27/30;G01N27/48 |
代理公司: | 贵州派腾知识产权代理有限公司 52114 | 代理人: | 谷庆红 |
地址: | 563000 贵*** | 国省代码: | 贵州;52 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 检测 芳烃 电化学传感器 制备 方法 及其 应用 | ||
1.一种检测多环芳烃的电化学传感器制备方法,其特征在于,包括以下步骤:(1)表面带正电纳米金的制备;(2)利用层层自组装技术制备电化学传感器;
所述步骤(1)具体为:a.将0.05ml的2.4×10-2M氯金酸溶解于4.0ml的0.1M十六烷基三甲基溴化铵溶液中,再加入1.5ml0.01MNaBH4溶液,摇晃30s,于25℃下静置2h,得种子液;b.将0.1ml0.2MCTAB与0.1ml2.4×10-2MHAuCl4·4H2O加入到10ml水中混匀,再加入0.6ml0.10ML-抗坏血酸,待溶液变成无色,加入步骤a的种子液40μl,搅拌30s,静置生长24h,在20000r/min下离心3次,得到表面带正电纳米金;
所述步骤(2)具体为:a.称取10~20mg氧化石墨烯超声溶解于10~15mL纯水中,得到浓度为1~2mg/ml的氧化石墨烯溶液,取5~8μl的氧化石墨烯溶液滴加到电极上,室温真空干燥,得到氧化石墨烯修饰电极;b.将步骤a中制备的修饰电极置于步骤(1)制备的正电纳米金中,自组装2~4h,用纯水冲洗,室温真空干燥,再置于1~2mg/ml的氧化石墨烯溶液中自组装2~4h,用纯水冲洗,室温真空干燥,制得的修饰电极置于(1)制备的正电纳米金中自组装2~4h,重复2~5次,制得基于层层自组装技术构建的纳米金/氧化石墨烯修饰电极;c.将步骤b纳米金/氧化石墨烯修饰电极置于浓度为10~20mg/ml巯基环糊精溶液中,于40-60℃下反应1-4h,制得层层自组装巯基β-环糊精/纳米金/氧化石墨烯修饰电极,以该修饰电极为工作电极,饱和甘汞电极为参比电极,铂片电极为辅助电极,构成了电化学传感器。
2.如权利要求1所述检测多环芳烃的电化学传感器制备方法,其特征在于,所述步骤a中电极为玻碳电极、金电极、石墨电极、金盘电极、ITO玻璃电极、丝网印刷碳电极、丝网印刷金膜电极中的任一种。
3.如权利要求1~2任一项所述方法制备的电化学传感器用于多环芳烃的检测,其特征在于,包括以下步骤:a.以巯基β-环糊精/纳米金/氧化石墨烯作为工作电极、饱和甘汞电极为参比电极,铂片电极为辅助电极,分别以多环芳烃α-羟基萘、1-羟基芘为待测样品,加入0.01mol/L磷酸二氢钠-磷酸氢二钠作为底液,采用1M的盐酸或氢氧化钠调节待测溶液的pH值为5.0~6.0,采用差分脉冲伏安法测定氧化峰的峰电流密度,根据加入的不同浓度羟基多环芳烃标准溶液与峰电流密度呈现良好的线性关系得到标准曲线;b.以巯基β-环糊精/纳米金/氧化石墨烯作为工作电极、饱和甘汞电极为参比电极,铂片电极为辅助电极,在待测样品中加入0.01mol/L磷酸二氢钠-磷酸氢二钠作为电解液,采用1M的盐酸或氢氧化钠调节待测溶液的pH值为5.0~6.0,采用差分脉冲伏安法测定氧化峰的峰电流密度,带入步骤a得到的线性方程中,得到待测样品中多环芳烃的浓度。
4.如权利要求3所述方法制备的电化学传感器用于多环芳烃的检测,其特征在于,所述步骤a中,以α-羟基萘作为待测样品,其线性范围为2.0×10-9~4.0×10-7mol/L,线性方程为I(μA)=-0.05789C(10-9mol/L)+0.0027,线性相关系数R2=0.9925,检出限为8.0×10-10mol/L。
5.如权利要求3所述方法制备的电化学传感器用于多环芳烃的检测,其特征在于,所述步骤a中,以1-羟基芘作为待测样品,其线性范围为1.0×10-9~8.0×10-7mol/L,线性方程为I(μA)=-0.06485C(10-9mol/L)-0.0324,线性相关系数R2=0.9984,检出限为9.0×10-10mol/L。
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