[发明专利]运算放大器

权利要求书

1.一种运算放大器，其特征在于，所述运算放大器包括第一级放大器、第二级放大器、电容及开关，所述第一级放大器的输出端与所述第二级放大器的输入端电连接，所述第二级放大器的输出端与所述第一级放大器的同相输入端电连接，所述电容的一端与所述第一级放大器电连接，所述电容的另一端与所述第二级放大器的输出端电连接，所述开关与所述电容并联，所述开关根据所述第一级放大器的反相输入端电压和所述第二级放大器的输出端电压进行闭合或断开。

2.如权利要求1所述的运算放大器，其特征在于，所述开关采用MOS管，所述开关的栅极与所述第一级放大器的反相输入端同时接收同一个输入信号，所述开关的漏极与所述电容的一端电连接，所述开关的源极与所述电容的另一端电连接。

3.如权利要求2所述的运算放大器，其特征在于，所述开关的栅极与所述第一级放大器的反相输入端电连接。

4.如权利要求3所述的运算放大器，其特征在于，所述第一级放大器包括第一输入对管、第二输入对管、第一尾电流源、第二尾电流源、第一电流镜、第二电流镜、第一浮动电流源及第二浮动电流源，所述第一输入对管与所述第一尾电流源、所述第一电流镜电连接，所述第二输入对管与所述第二尾电流源、所述第二电流镜电连接，所述第一浮动电流源及所述第二浮动电流源均电连接于所述第一电流镜与所述第二电流镜之间；

所述电容包括第一电容和第二电容，所述开关包括第一开关和第二开关，所述第一开关的栅极与所述第一输入对管电连接，所述第一开关的漏极与所述第一电流镜及所述第一电容的一端电连接，所述第一开关的源极与所述第一电容的另一端电连接，所述第二开关的栅极与所述第二输入对管电连接，所述第二开关的漏极与所述第二电流镜及所述第二电容的一端电连接，所述第二开关的源极与所述第二电容的另一端电连接。

5.如权利要求4所述的运算放大器，其特征在于，所述第一输入对管包括第一NMOS管和第二NMOS管，所述第二输入对管包括第一PMOS管和第二PMOS管，所述第一NMOS管的栅极和所述第一PMOS管的栅极作为所述第一级放大器的同相输入端与所述第二级放大器的输出端电连接，所述第二NMOS管的栅极和所述第二PMOS管的栅极作为所述第一级放大器的反相输入端，所述第二NMOS管的栅极与所述第一开关的栅极电连接，所述第二PMOS管的栅极与所述第二开关的栅极电连接；所述第一NMOS管的源极和所述第二NMOS管的源极均与所述第一尾电流源电连接，所述第一NMOS管的漏极和所述第二NMOS管的漏极均与所述第一电流镜电连接，所述第一PMOS管的源极和所述第二PMOS管的源极均与所述第二尾电流源电连接，所述第一PMOS管的漏极和所述第二PMOS管的漏极均与所述第二电流镜电连接。

6.如权利要求5所述的运算放大器，其特征在于，所述第一电流镜包括第三PMOS管、第四PMOS管、第五PMOS管、第六PMOS管，所述第三PMOS管的源极与所述第四PMOS管的源极电连接，所述第三PMOS管的栅极与所述第四PMOS管的栅极电连接，所述第三PMOS管的漏极与所述第五PMOS管的源极电连接，所述第四PMOS管的漏极与所述第六PMOS管的源极电连接，所述第一开关的漏极电连接于所述第四PMOS管的漏极与所述第六PMOS管的源极之间，所述第五PMOS管的栅极与所述第六PMOS管的栅极电连接，所述第五PMOS管的漏极与所述第一浮动电流源电连接，所述第六PMOS管的漏极与所述第二浮动电流源电连接，所述第一NMOS管的漏极电连接于所述第三PMOS管的漏极与所述第五PMOS管的源极之间，所述第二NMOS管的漏极电连接于所述第四PMOS管的漏极与所述第六PMOS管的源极之间。