[发明专利]一种半导体氧化物包覆镍钴铝酸锂三元材料的制备方法在审
| 申请号： | 201810539373.4 | 申请日： | 2018-05-30 |
| 公开（公告）号： | CN108767225A | 公开（公告）日： | 2018-11-06 |
| 发明（设计）人： | 王夏阳;寇亮;张超;张诚;王继峰;田占元;邵乐 | 申请（专利权）人： | 陕西煤业化工技术研究院有限责任公司 |
| 主分类号： | H01M4/36 | 分类号： | H01M4/36;H01M4/485;H01M4/525;H01M4/62;H01M10/0525 |
| 代理公司： | 西安通大专利代理有限责任公司 61200 | 代理人： | 徐文权 |
| 地址： | 710077 陕西省西安市*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体氧化物 镍钴铝酸锂 三元材料 制备 包覆 材料热稳定性 充放电容量 循环稳定性 喷雾干燥 氧化锡锑 氧化铟锡 有机溶剂 包覆的 改性剂 敏感度 氧化锡 氧化铟 | ||
1.一种半导体氧化物包覆的镍钴铝酸锂三元材料。
2.根据权利要求1所述的半导体氧化物包覆的镍钴铝酸锂三元材料，其特征在于，半导体氧化物为氧化锡、氧化铟、氧化锡锑、氧化铟锡中的一种或几种。
3.一种权利要求1或2所述半导体氧化物包覆的镍钴铝酸锂三元材料的制备方法，其特征在于，将半导体氧化物分散于有机溶剂中，添加镍钴铝酸锂，混合均匀后喷雾干燥，得到半导体氧化物包覆的镍钴铝酸锂三元材料。
4.根据权利要求3所述的半导体氧化物包覆的镍钴铝酸锂三元材料的制备方法，其特征在于，按照摩尔百分数计，半导体氧化物的用量为镍钴铝酸锂用量的0.5-2％。
5.根据权利要求3所述的半导体氧化物包覆的镍钴铝酸锂三元材料的制备方法，其特征在于，混合方式为磁力搅拌或机械搅拌，搅拌时间0.5-3h。
6.根据权利要求3所述的半导体氧化物包覆的镍钴铝酸锂三元材料的制备方法，其特征在于，有机溶剂为酒精。
7.根据权利要求3所述的半导体氧化物包覆的镍钴铝酸锂三元材料的制备方法，其特征在于，镍钴铝酸锂的制备方法为：将锂源与镍钴铝氢氧化物混合均匀，在氧气气氛下煅烧，得到镍钴铝酸锂三元材料。
8.根据权利要求7所述的半导体氧化物包覆的镍钴铝酸锂三元材料的制备方法，其特征在于，锂源为氢氧化锂、碳酸锂中的一种或两种，锂元素与镍钴铝氢氧化物的摩尔比为(1-1.08):1。
9.根据权利要求7所述的半导体氧化物包覆的镍钴铝酸锂三元材料的制备方法，其特征在于，镍钴铝氢氧化物中钴元素的摩尔含量为12-15％，镍元素的摩尔含量为80％-83％，铝元素的摩尔含量为2％-5％。
10.根据权利要求7所述的半导体氧化物包覆的镍钴铝酸锂三元材料的制备方法，其特征在于，煅烧为两段煅烧，一段煅烧温度为480-550℃，保温时间2-10h，升温速度为2-5℃/min，二段煅烧温度为700-780℃，保温时间8-24h，升温速度为2-5℃/min。
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